改善金属硬质掩膜层刻蚀的工艺方法

• 作者: 陈敏敏
• 来源期刊: 中国集成电路
• 关键词: 集成电路制造 金属硬质掩膜层刻蚀 28纳米 关键尺寸
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 工艺
• 页码范围: 48-52
• 页数: 5页
• 字数: 1627字
• 语种: 中文

摘要

随着集成电路的深入发展,半导体器件对关键线宽(CD)的要求趋于严格,本文着眼于对金属硬质掩膜层刻蚀的研究.通过实验找到了影响硬质掩膜线宽(HM CD)、膜厚(THK)和形貌的重要参数,优化了金属硬质掩膜层刻蚀工艺.实验结果表明,O2是影响HM CD的重要因素,其中O2与HM CD呈线性关系(y=1.595x+40.51,R2=0.9997).Bias RF是影响THK的重要因素,与THK的线性关系为:y=-10.51x+129.75,R2=0.9999.Bias RF、O2、Cl2和Temp四个参数间的交互实验表明,O2和Bias RF均不会受其他参数的影响.同时,当Bias RF提高50％时,纵向刻蚀能力得到了加强,这可以改善金属硬质掩膜层的形貌.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈敏敏		2	0	0.0	0.0