LDMOS器件抗辐射关键工艺研究

• 作者: 于姝莉 刘旸
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 抗辐射加固 总剂量效应 陷阱电荷 负电荷
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1930字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2020.04.005

摘要

随着开关稳压电源、驱动器等功率集成电路在航天设备上的应用越来越广泛,技术领域对具备抗辐射加固能力的电压类及驱动类电子元器件的需求也越发迫切.通过对LDMOS器件在辐射环境中的失效机理展开分析,确认LDMOS器件抗辐射技术中栅氧化作为关键工艺的地位,并对氧化层在辐射环境中产生缺陷陷阱电荷的机理进行了相关探讨与研究.根据研究结果对现有氧化层加工工艺提出一套优化方案.通过C-V电荷测试和实际辐照试验验证,确认新工艺对提高LDMOS器件的抗总剂量能力有显著效果,同时为功率集成电路的抗辐射加固工艺研究提供了理论基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘旸	中国电子科技集团公司第四十七研究所	7	3	1.0	1.0
2	于姝莉	中国电子科技集团公司第四十七研究所	7	12	2.0	3.0