不同温度硫化生长ZnS薄膜的性能

• 作者: 张仁刚 张鹏 曹兴忠 杨光 王宝义
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: ZnS薄膜 磁控溅射 硫化 光透过率
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 33-38
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4|TN304
• 字数: 4210字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.03.006

摘要

采用磁控溅射方法在玻璃衬底上室温下沉积了Zn薄膜,接着将薄膜在硫蒸气和氩气氛中于200℃预热1 h,然后升温至250～500℃退火1 h.以XRD、SEM、EDS和紫外可见分光光度计对薄膜进行表征,并结合热力学计算结果研究了Zn薄膜硫化生长机理.Zn转变为ZnS的过程包括硫化反应以及S原子和Zn原子的扩散.研究还表明:第一步的200℃预热可在Zn薄膜表面形成ZnS,随后第二步退火的硫化温度对硫化薄膜光透过率、S/Zn摩尔比和结晶性都有明显影响;在大于或等于300℃的硫化温度下制备的ZnS薄膜在400～1100 nm范围光透过率高达约80％,带隙为3.54～3.60 eV,晶体结构为六方.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹏	中国科学院高能物理研究所	220	1605	21.0	32.0
2	王宝义	中国科学院高能物理研究所	69	258	9.0	12.0
3	曹兴忠	中国科学院高能物理研究所	19	31	3.0	4.0
4	张仁刚	武汉科技大学理学院	8	17	3.0	3.0
5	杨光	武汉科技大学理学院	6	11	2.0	3.0