硫化法制备ZnS薄膜的结构和光学性能研究

• 作者: 卓雯 张仁刚 徐千山 王登京 陈克亮
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体 ZnS薄膜 磁控溅射 硫化 六方 光透过率
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 23-25
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 2714字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2013.05.007

摘要

采用直流反应磁控溅射法,在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜,然后在H2S气氛和500℃温度下退火制备了六方ZnS薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、UV-VIS分光光度计、扫描电子显微镜(SEM)对样品进行了表征.结果表明:ZnO经0.5 h硫化就能全部生成ZnS,适当提高硫化时间可改善ZnS的结晶性,但硫化时间超过2h后,结晶性会有所降低；所有制得ZnS薄膜都沿c轴择优生长,其晶粒明显比ZnO更大.此外,这些ZnS薄膜在500～1 100nm波长范围内的光透过率均高速约75％,带隙为3.65～3.70 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张仁刚	武汉科技大学应用物理系	8	17	3.0	3.0
2	卓雯	武汉科技大学应用物理系	5	13	2.0	3.0
3	陈克亮	武汉科技大学应用物理系	7	9	2.0	2.0
4	徐千山	武汉科技大学应用物理系	3	7	2.0	2.0
5	王登京	武汉科技大学应用物理系	5	4	1.0	1.0