一种具有Buffer层的分离栅VDMOS研究

• 作者: 乔明 任敏 何俊卿
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: Buffer层 分离栅VDMOS Medici 功率优值
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 56-59
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 字数: 1423字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0507

摘要

介绍了一种具有Buffer层的分离栅VDMOS器件,通过Medici进行了仿真研究,分析了Buffer层对器件电学特性的影响,并提供了获得合适Buffer层参数以优化器件功率优值的设计公式.优化后器件的功率优值较现有研究结果均出现了30％以上的增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔明		35	178	8.0	12.0
2	任敏		22	46	4.0	5.0
3	何俊卿		2	0	0.0	0.0