溅射功率对磁控溅射法制备MgF2薄膜组织和性能的影响

• 作者: 刘俊成 刘治钢 赵长江 陈燕 马超
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: MgF2薄膜 F贫乏 透光率 减反射 溅射功率 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2020,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1064-1070
• 页数: 7页
• 分类号: TB383|TM914|TQ171
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim200190565

摘要

为了减少磁控溅射法沉积MgF2薄膜的F贫乏缺陷,在工作气体Ar2中加入SF6作为反应气体,在石英玻璃衬底上用射频磁控溅射法制备了MgF2薄膜,研究了溅射功率对MgF2薄膜化学成分、微观结构和光学性能的影响.结果表明,随着溅射功率从115 W增加到220 W,F:Mg的原子比不断增加,185 W时达到2.02,最接近理想化学计量比2:1;薄膜的结晶度先提高后降低,最后转变为非晶态;MgF2薄膜的颗粒尺寸先是有所增加,轮廓也变得更加清晰,最后又变得模糊.MgF2薄膜的折射率先减小后增大,在185 W时获得最低值,550 nm波长的折射率1.384非常接近MgF2块体晶体;镀膜玻璃在300～1100 nm范围内的透光率(以下简称薄膜透光率)先增大后减小,185 W时达到94.99％,比玻璃基底的透光率高出1.79％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵长江		1	0	0.0	0.0
2	马超		1	0	0.0	0.0
3	刘俊成		1	0	0.0	0.0
4	刘治钢		2	0	0.0	0.0
5	陈燕		1	0	0.0	0.0