一种用于高压PMOSFET驱动器的电压跟随电路

• 作者: 师翔 崔玉旺 赵永瑞 谭小燕 张浩 贾东东
• 来源期刊: 半导体技术
• 关键词: PMOSFET驱动器 栅源电压 电压跟随电路 多环路负反馈 低温度漂移
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路|Semiconductor Integrated Circuits
• 页码范围: 198-202,222
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.03.005

摘要

通常PMOSFET 栅源电压为-20～20 V,而用于GaN 功率放大器的高压PMOSFET 驱动器,其工作电压为28～50 V,因此需要一种新型电路结构来保证PMOSFET 栅源电压工作在额定范围.设计了一种新型电压跟随电路,采用新型多环路负反馈结构,核心电路主要为电压基准单元、减法器单元、误差放大器单元和采样单元,可产生稳定的跟随电压.该电路具有宽电源电压范围、高输出稳定性以及低温度漂移等特性.基于0.5 μm BCD 工艺对电路进行流片,测试结果表明,采用该电路的驱动器芯片,其电源电压为15～50 V,输出电压变化量约为0.6 V,在-55～125℃温度范围内,电压漂移量约为0.12 V,满足大多数PMOSFET 栅源电压的应用要求.