PECVD法沉积大尺寸氮化硅薄膜性能的研究

• 作者: 胡毓龙 金哲山 董杰 刘晓婷 霍建宾
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 关键词: 薄膜晶体管 化学气相沉积 氮化硅 均一度 致密度 膜厚
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 188-192
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjvst.202006011

摘要

采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在大尺寸玻璃基板上沉积氮化硅薄膜,对薄膜性能进行了研究,并从微观角度对所得结论进行了进一步分析与讨论.PECVD法在连续沉积氮化硅薄膜时,薄膜的厚度、沉积速率、均一性以及致密度会随镀膜基板数变化.结果 表明,随镀膜基板数量的逐渐增加,氮化硅薄膜平均厚度呈上升趋势,均一性变好,薄膜致密度呈下降趋势.