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半导体光电期刊
出版文献量（篇）
4307
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22967

半导体光电

Semiconductor Optoelectronics

CAJSTSACSTPCD

影响因子 0.5046
本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊  重庆市优秀期刊 
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
重庆市南坪花园路14号44所内
出版文献量（篇）
4307
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  • 31. LED在线分拣系统的研制
    作者： 张保洲 王术军
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  108-111
    摘要： 发光二极管(LED)在仪表功能指示、交通信号和标志、测量、通信等方面得到越来越广泛的应用,有非常大的市场需求量.LED应用中,对其性能一致性要求很高,因此LED生产线上必须配置对LED快速测...
  • 32. 取样啁啾光纤光栅的时延抖动抑制
    作者： 于志辉 余重秀 吴强 桑新柱 王旭 王星 王葵如
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  112-114
    摘要： 研究了用于多通道色散补偿器的取样啁啾光纤光栅时延抖动问题,分析了产生时延抖动的腔效应及抑制时延抖动的切趾技术,分析、比较了切趾前后取样啁啾光纤光栅的时延抖动情况,研究结果表明:取样啁啾光纤光...
  • 33. 宽带接入技术的新演进--GPON
    作者： 余水琴 毛幼菊
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  115-118,131
    摘要： 分析了无源光网络(PON)接入技术的演进,对APON、EPON以及新近出现的GPON技术进行了比较,重点述评了GPON的设计目标与GPON的系统组成.
  • 34. 光波长转换技术及其在WDM网络中的应用
    作者： 王敏琦 胡庆
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  119-123
    摘要： 通过对光波长转换技术及其核心单元OTU的介绍,讨论了光波长转换技术在波分复用(WDM)网络和下一代网络(NGN)中的主要作用.
  • 35. 接触式图像传感器噪声抑制方法研究
    作者： 张文普 袁祥辉
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  124-127
    摘要： 介绍了接触式图像传感器(CIS)的简要原理和存在的噪声类型,阐述了用相关双采样来消除这些噪声的机理,分析了CIS要求的驱动信号CP、SP和采样保持信号SH1、SH2之间的时序关系,并用复杂可...
  • 36. 基于硅色敏器件的单色光波长测量系统的设计
    作者： 季峰 陈炳若
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  128-131
    摘要： 介绍了基于硅双结型色敏器件的单色光波长测量系统的硬件、软件设计.该系统以微处理器为控制单元、硅双结型色敏器件为探测器,实现了对单色光波长方便、快捷、准确的测量.
  • 37. 简支梁调谐光纤光栅波长的改进算法
    作者： 于小宁 孙成城 张勤
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  132-133
    摘要： 对使用简支梁调谐光纤光栅(FBG)波长的计算方法进行了分析,改进了传统计算公式,给出了计算光栅波长调谐量的解析式.与传统算法相比,改进算法可以直接通过梁的长度变化量计算得到波长调谐量,因此应...
  • 38. 利用面阵CCD测量小角度的研究
    作者： 刘国栋 浦昭邦 王雯倩 陈世哲
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  134-135,138
    摘要： 分析了采用面阵CCD器件和自准直原理实现二维小角度测量的原理和方法,设计了采用计算机控制的高速数据采集和处理软件,通过使用Visual C++语言实现的界面,可以实时显示测量数据.实验表明,...
  • 39. 平面四象限光电定位传感器
    作者： 蔡颖岚
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  136-138
    摘要： 介绍了用于平面及角度定位的四象限光电传感器,分析了其工作原理.利用该传感器构造了光刻机掩模板的平面定位系统.
  • 40. Si/InP键合界面的研究
    作者： 何国荣 谢生 陈松岩
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  139-142
    摘要： 应用疏水处理方法成功实现了Si/InP的键合,然后通过对InP和Si的表面XPS能谱分析得到界面信息,从而了解键合机理.I-V曲线也反应了键合界面的性质,通过450、550℃退火样品的伏安特...
  • 41. 激光在MEMS键合技术中的应用
    作者： 张剑铭 徐晨 杨道虹 沈光地 董典红 阳启明
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  143-146
    摘要： 键合技术已经广泛地应用于微电子机械系统(MEMS)领域,但传统的键合技术由于其缺点,限制了其应用范围,而激光以其独特的优势在键合技术中得到了人们的重视.文章介绍了激光在键合技术中的应用及其原...
  • 42. 利用O点阵模型对键合界面位错特性的分析
    作者： 任晓敏 周震 黄永清
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  147-150,154
    摘要： 利用O点阵理论建立了键合界面的位错模型,并利用该模型讨论了键合界面由于晶格失配、晶向扭转和晶面倾斜所形成位错的特性,得到了和实验结果符合良好的计算结果.
  • 43. 退火对MOCVD法生长ZnO薄膜性能的影响
    作者： 刘博阳 刘大力 张源涛 李万成 杜国同 杨天鹏 杨小天 杨树人 赵佰军
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  151-154
    摘要： 采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜,并在空气中800℃退火1 h.生长及退火样品的XRD图谱均显示了较强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长.光电子能...
  • 44. 光脉冲在钕玻璃激光放大介质中的传播特性研究
    作者： 冯国英 赵刚 陈建国 黄强
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  155-157,161
    摘要： 建立了用于研究光脉冲在钕玻璃激光放大介质中传播特性的模拟软件.它综合考虑了激光放大介质中基质的克尔非线性效应、群速度色散、活性粒子的增益谱以及增益饱和对光脉冲传播特性的影响.所得结果对高功率...
  • 45. n-GaN上Ti/Al电极的表面处理与退火
    作者： 何乐年 刘磊 陈忠景
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  158-161
    摘要： 实验研究了不同表面处理方法和不同退火条件对GaN上的Ti/Al电极的影响,用CH3CSNH2/NH4OH处理后的GaN材料的荧光光谱强度最高,在该材料上制作的Ti/Al电极的欧姆接触电阻率最...
  • 46. 原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌
    作者： 牛智川 魏全香
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  162-164
    摘要： 研究了原子氢辅助分子束外延(MBE)中,原子氢对不同晶面GaAs外延层表面形貌特征的诱导作用.原子力显微镜(AFM)测试表明,在GaAs的(311)A和(331)A面,原子氢导致了台阶状形貌...
  • 47. 阵列波导光栅复用/解复用器研究进展
    作者： 刘俭辉 李世忱 王肇颖 胡智勇 贾东方
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  165-168
    摘要： 综述了阵列波导光栅(AWG)复用/解复用器的最新研究进展,并对该种器件的前景进行了展望.
  • 48. 高速高饱和InGaAs/InP单行载流子光电二极管
    作者： 夏力臣 高新江
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  169-173
    摘要： InGaAs/InP单行载流子光电二极管(UTC-PD)是近年来研发的一种新型光电器件.UTC-PD是一种由p型中性光吸收层和n型宽带隙集结层构成,并且只用电子作为有源载流子的光电二极管.详...
  • 49. 用于单光子探测的APD的低温特性
    作者： 冯金垣 吕华 崔迎超 黄静
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  174-176
    摘要： 采用半导体致冷技术,对雪崩光电二极管(APD)快速降温,最低温度可达到-35℃,并对其低温特性进行了测试.结果表明:APD在低温下工作其雪崩电压下降,暗电流噪声降低,解决了量子密码通信中的红...
  • 50. 808 nm高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器
    作者： 张素梅 石家纬 石英学 赵世舜
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  177-180
    摘要： 设计并研制了一种将p-n结和有源层分开的高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远异质结(SQW-RJH)激光器,其发射波长为808 nm,腔长为900 μm,条宽为100μm.其外延结构与通常...
  • 51. 照明用LED光学系统的计算机辅助设计
    作者： 严萍 李剑清
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  181-182,200
    摘要： 介绍了LED在照明领域的应用前景,提出了利用计算机辅助非序列光线追迹设计照明用LED的光学系统的分析方法,以达到计算机虚拟试制LED的目的.
  • 52. 微透镜阵列的制作及其与图像传感器的集成
    作者： 易新建 柯才军 赖建军 陈四海
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  183-187
    摘要： 介绍了利用硅、熔融石英和聚酰亚胺等材料制作折射和衍射微透镜阵列的工艺和结果,以及这些微透镜阵列分别与红外、可见光图像传感器的集成应用.微透镜与红外256×256PtSiCCD的集成结果表明,...
  • 53. MCP电子透射膜的制备及半视场特性
    作者： 闫金良
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  188-190,241
    摘要： 介绍了微通道板(MCP)电子透射膜在成像器件中的功能,分析了冷基底溅射制膜技术和有机膜涂覆及焙烧的方法制备MCP电子透射膜的工艺缺陷,提出了一种新的MCP输入面电子透射膜的制作方法.在一块M...
  • 54. 聚合物发光器件的旋涂膜厚模型研究
    作者： 刘陈 尹盛 张五星 是度芳 钟志有
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  191-193,208
    摘要： 聚合物膜厚的控制对于优化聚合物发光器件的光电性能是至关重要的.应用最小二乘法,通过对中心复合设计实验数据的拟合,建立了旋涂法制备聚合物薄膜的膜厚回归模型.测试结果表明:利用该模型所得到的预测...
  • 55. 多孔硅的微结构对其Raman谱的影响
    作者： 丁训民 侯晓远 刘小兵 史向华 柳毅 柳玥 王行军
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  194-196
    摘要： 用场发射扫描电子显微镜研究了用直流化学腐蚀和脉冲电化学腐蚀方法制备的多孔硅(PS)的微结构,观察并测试了孔洞的垂直度、深度以及洞宽(直径),对PS的纵向微结构进行了二次电子图像和背散电子图像...
  • 56. 大面积多晶硅绒面的制备
    作者： 卢景霄 孙晓峰 李维强 王海燕
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  197-200
    摘要： 采用酸腐蚀法,在小面积(2cm×2cm)多晶硅绒面制作的基础上,成功地在大面积(10cm×10cm)多晶硅片表面上制作了绒面.利用扫描电子显微镜(SEM)观察其表面形貌并进行反射谱测试,结果...
  • 57. 低温扩散Mn离子研制橙色电致发光材料
    作者： 孟宪棫 朱宁 石磐
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  201-202
    摘要： 用低温扩散锰离子的方法,制作了较高亮度的电致发光材料.材料的晶体结构由X射线衍射分析,实验结果表明:当扩散温度低于800℃时,晶体的六角相结构趋于零,只有立方相结构.用低温扩散法可以获得较高...
  • 58. 基于FDL和TWC的光突发竞争解决方案及性能分析
    作者： 周属衡 熊安萍 阳小龙
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  203-208
    摘要： 在光突发交换(OBS)网络中,突发竞争是影响网络性能的一个重要因素,因此如何有效地解决它,成了OBS网络非常重要的问题.在分析当前文献中的解决方案的优缺点后,提出了一种突发竞争解决方案的系统...
  • 59. 光分组交换网络中的竞争解决策略
    作者： 叶通 曾庆济 杨俊杰 祝国龙
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  209-212,230
    摘要： 在光分组交换网络中,如果同一时刻有两个以上的分组要以同一波长从同一输出端口离开光交换机就会产生竞争,如何解决光分组竞争将会对光分组交换网络的性能产生巨大影响.通常,解决光分组竞争的方法有光缓...
  • 60. 复用器/解复用器级联对40 Gb/s信号传输的影响
    作者： 周炳琨 谢世钟 陈宏伟 陈明华 高志国
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  213-215
    摘要： 对光网络中复用器/解复用器的级联时信号传输的影响进行了研究.分别讨论了在40 Gb/s数据传输速率下,复用器/解复用器级联造成非归零码、载波压缩归零码和归零码等不同调制码型,以及不同占空比的...

半导体光电基本信息

刊名 半导体光电 主编 江永清
曾用名
主办单位 重庆光电技术研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1001-5868 CN 50-1092/TN
邮编 400060 电子邮箱 soe@163.net
电话 023-62806174 网址 www.semiopto.net
地址 重庆市南坪花园路14号44所内

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半导体光电统计分析

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