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半导体光电2005年出版文献
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
半导体光电
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本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊
重庆市优秀期刊
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 采用剥离技术,实现了GaN基紫外探测器件与硅读出电路的倒焊对接,对提高GaN基紫外图像传感器的电学特性起到了重要的作用.介绍了剥离技术的原理,实验结果分析及应用.
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32. 大功率白光LED封装技术的研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 详细分析了照明用大功率LED的封装技术,在大量实验的基础上,提出了一些具体的解决方案,设计了独特的封装结构.介绍了在色度稳定性与均匀性、改善散热条件等方面所作的探索,并对LED驱动电流和发光...
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33. 金属外壳封接中的可伐合金退火刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 介绍了在可伐管壳封接工艺中可伐合金退火的重要性及目的,并分析得出了可伐合金退火的最佳温度及气氛.
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34. 垂直腔面发射激光器的氧化工艺研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 在垂直腔面发射激光器(VCSEL)中常用氧化物限制结构来对其进行电流和光场的限制.分别从氧化时间、氧化温度、氧化载气的气流量三方面讨论研究了它们对Al0.98Ga0.02As层氧化深度、氧化...
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35. 快速光热退火制备多晶硅薄膜刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火,得到了多晶硅薄膜,它与传统退火相比,退火时间大大缩短.用XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等手段对其进行...
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36. 突发接收模块的接收特性研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 介绍了衡量接收特性的误码函数和Q因子,并以此为基础对突发接收模块中影响接收特性的因素,如判决电平偏离理想值、信号的消光比、信号间干扰、带宽滤波效应等进行了研究分析,对突发接收模块的设计具有重...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 光突发交换(OBS)网络中,偏射路由算法是有效地解决突发竞争、提高网络性能的一种重要措施,但通过分析发现,它可能会导致偏射路由上正常(非偏射)突发的丢失率上升.提出了一种基于竞争控制的条件偏...
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38. 光正交码构造算法的研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 介绍了代数同余算法和遗传算法在光码分多址系统中的应用,研究了使用这些算法构造光正交码的特性,分析了它们的优缺点.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 基于自由空间的信道特性,提出用BCH信道编码来改善自由空间OCDMA系统性能.考虑系统中存在多用户干扰、背景光噪声以及APD接收机噪声的情况下,分析了基于多波长二维光正交码的同步OCDMA系...
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40. 低成本CMOS阵列式高速成像系统刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 高速摄像是研究瞬间发生的物理和化学现象的重要手段之一.针对碰撞过程,提出了应用低成本CMOS阵列式成像传感器构建高速摄像系统.成像阵列由16个可更换的CMOS单元组成,接在主板上.为了进行同...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 在分析传统陀螺动态漂移测量原理的基础上,提出了一种基于灰度投影的光点运动的跟踪算法.该算法利用对图像进行重叠分区和灰度投影相结合的办法来捕获光点的位置,实现对光点的实时、精确跟踪,并画出其运...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 讨论了象限探测器在激光制导技术中的应用,简述了四象限探测器及其组件用于激光制导的工作原理,以及激光半主动制导系统对四象限探测器组件的特殊要求,介绍了一种实用的激光半主动制导用四象限激光探测器...
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43. 256级灰度OLED驱动电路刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 设计了一种OLED矩阵屏的驱动电路,在64×48像素OLED矩阵屏上,采用脉宽调制的方法实现了256级灰度、无交叉效应的静态图案显示.通过在未选中行上施加正向偏压、未选中列上施加反向偏压的方...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 光学畸变普遍存在于高精度光电测量设备系统中,是影响系统测量精度的一个重要因素.在分析多CCD拼接相机结构理论基础上,提出了多CCD拼接相机系统畸变误差模型,同时提出了测量该系统中畸变误差的方...
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45. 半导体光子晶体激光器的研究进展刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 半导体光子晶体激光器已成为当今世界范围内的一个研究热点.简述了光子晶体的物理特性对优化半导体激光器的贡献,介绍了几种类型光子晶体激光器,详细阐述了器件的工作原理,并展望了光子晶体激光器的潜在...
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46. 硅纳米线的合成及表征刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 目前已通过气-液-固生长机理及氧化物辅助生长等机理合成了大量硅纳米线,电镜、能量色散X射线分析、X射线光电子能谱、拉曼光谱、近边X射线吸收精细结构光谱、I-V测量、光致发光、场发射、电子输运...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 采用2 μm的设计规则,在硅工艺线上,成功设计和制作了128×128 PtSi高速逐行扫描CCD器件.介绍了器件的结构、制作工艺和参数测试结果.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 运用琼斯矢量及偏振光干涉的原理,从频域的角度分析Lyot晶体型消偏器的性能,得到消偏器的设计判据:第一个晶体的厚度等于真空中光源的相干长度比晶体的双折射率.并将结论和时域的设计判据进行比较,...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 介绍了一种基于微电子机械系统(MEMS)技术实现的可变光衰减器,通过微电磁驱动器改变输入输出光纤之间的径向偏移量来调整衰减量.分析了偏移量与衰减量的关系,通过MEMS微细加工技术实现了器件的...
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50. 微机械连续薄膜变形反射镜刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 建立了微机械连续薄膜变形反射镜的静电力驱动理论模型,推导出微机械连续薄膜变形反射镜的变形位移和驱动电压的关系表达式,利用该公式、静电力表达式和弹性支撑的回复力分析了变形镜的稳定工作驱动、不稳...
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51. 高能紫外光纤传输阵列刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 介绍了具有衰减高能紫外激光和匀化光斑作用的紫外光纤传输阵列的结构设计及工作原理.对光纤传输阵列中采用的特殊紫外光纤特性进行了测试研究.同时详细报道了该紫外光纤传输阵列的排列、胶合和端面处理等...
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52. 光纤数字图像传输模块的研制刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 研制了一种采用光纤(缆)连接的数字视频接口,即光纤数字图像传输模块,采用该模块可以对图像进行远距离数字化传输.简述了其工作原理,介绍了模块研制过程中的各项关键技术,给出了实验结果并对其进行了...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 提出了一种具有监视功能的两级反射式光隔离器,给出了设计思想和工作原理,利用矩阵光学理论对器件的隔离度和插入损耗进行了理论分析,给出了制造误差与隔离度和插入损耗之间的关系.
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54. 红外焦平面阵列盲元检测技术研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 盲元的数量及其分布对红外焦平面阵列器件成像质量的影响较大.在给出盲元定义的基础上,对盲元的各种产生机理进行了分析,并给出了具体的盲元检测方法,为盲元补偿技术的研究提供了理论基础.
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55. 光电耦合器内部水汽含量控制刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 分析了光电耦合器内部水汽的来源,在此基础上提出了降低产品内部水汽含量的方法,提高了元器件的质量和可靠性.对比了改进前后产品的内部水汽含量.
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56. 无源OLED显示屏亮度均匀性研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 利用无源矩阵驱动原理,计算了有机发光二极管(OLED)器件中阴极和阳极电阻上的电压降.结果表明,恒压驱动条件下,电阻上的压降将产生严重的亮度不均匀性.分析表明辅助电极可以改善亮度非均匀性.采...
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57. 制作聚合物光波导的铝掩模工艺刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 主要针对聚合物波导制备中的关键技术--刻蚀掩模,进行了系统的研究.以铝为例,利用原子力显微镜和光电子能谱,详细地分析并讨论了在聚合物表面溅射镀铝对芯层波导的影响.明确指出,溅射会在聚合物表面...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 用中频磁控溅射工艺分别制备了掺铒Al2O3薄膜和镱铒共掺Al2O3薄膜,室温下测量了它们的光致发光特性.结果表明:镱铒共掺Al2O3薄膜光致发光的峰值强度为掺铒Al2O3薄膜的8倍以上, 两...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 利用Au催化辅助化学气相沉积生长技术,在n-Si(111)衬底上制备了准单晶的ZnO纳米线.X射线衍射分析的结果表明, ZnO纳米线具有明显的沿(0001)方向定向生长的特征.扫描电子显微镜...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 应用标准CMOS工艺制作了横向多晶硅p+p-n+结,对其正向电流-电压的温度特性进行了理论分析和实验研究.实验结果表明:横向多晶硅p+p-n+结的理想因子为1.89;在室温附近(T=27 ℃...
半导体光电基本信息
| 刊名 | 半导体光电 | 主编 | 江永清 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 重庆光电技术研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1001-5868 | CN | 50-1092/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | soe@163.net |
| 电话 | 023-62806174 | 网址 | www.semiopto.net |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号44所内 |
半导体光电评价信息
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 科学文摘(英) |
| 4. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 信息产业部优秀电子期刊 |
| 2. | 重庆市优秀期刊 |
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