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半导体光电2005年出版文献
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
半导体光电
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本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊
重庆市优秀期刊
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
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目录
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 采用脉冲激光薄膜沉积技术制备了超薄连续的铱硅化合物肖特基势垒薄膜,利用X射线光电子能谱、原子力显微镜、半导体性能自动测量系统对薄膜进行了分析.获得的样品在界面层为单相IrSi3,并对人体红外...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 利用近空间升华法在经过不同打磨处理的玻璃衬底上制备了CdTe薄膜,用X射线衍射仪,扫描电镜表征了CdTe薄膜的微结构.结果表明CdTe薄膜的微观结构依赖于衬底粗糙度,(111)晶面的择优取向...
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63. 光刻工艺中缺陷来源的分析刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 针对半导体集成电路和器件的制作过程中,在光刻工艺过程中各种缺陷产生的种类及来源进行了基本的集中性分析,提出了一些减少或消除这些缺陷的办法和措施.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 采用近似方法对GaInNAs材料的能带结构进行了分析,并计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱能级,在此基础上进一步计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱的材料光增益谱.对计算结果的分析...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 基于波分复用(WDM)系统中级联光纤光栅色散特性,研究了皮秒脉冲宽度以及光纤光栅长度和耦合系数等参数对脉冲压缩的影响;以高斯脉冲为例,运用等效色散的方法数值模拟了皮秒脉冲经过常规光纤和级联光...
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66. 多极化方法研究微结构光纤特性刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 介绍了一种计算微结构光纤(MOF)传输特性的精确算法,即多极化方法,并将这种方法与随机统计分布相结合从理论上研究了制造中引入的误差对微结构光纤的损耗和色度色散特性的影响.另外还重点研究了MO...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 如何在光突发交换(OBS)网络中为承载的业务提供服务质量(QoS)保证,已经成为当前OBS领域的一个研究热点.从算法思想、QoS保证性能等方面,对当前几种主要的服务质量保证机制进行了研究:基...
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68. 光子晶体光纤色散特性的研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 基于标量近似理论,使用有效折射率方法对光子晶体光纤的群速度色散特性进行了详尽研究.由于光子晶体光纤是由单一材料制成,光纤的总色散便由波导色散决定,将群速度色散分为材料色散和波导色散,在分析光...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 视差现象的存在影响了望远系统测量瞄准的精度.针对平行光管法和视度筒法检测视差的局限性,提出了一种基于CCD图像传感器和数字图像处理技术的望远系统视差自动测试方法,论述并推导了视差的测试原理及...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 串扰是困扰光纤水听器阵列时分复用技术应用发展的重要问题之一.对时分复用系统中通道之间存在的串扰从理论上进行了深入分析,并运用仿真方法研究了系统中的串扰与光开关消光比、复用通道数等因素的关系.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： CCD图像传感器不均匀特性是影响光电测量设备精度的一个重要因素.在分析了单片CCD图像传感器不均匀特性基础上,提出了多CCD拼接相机系统中不均匀特性的校正方法.大量实验结果表明,利用该校正方...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 提出了一种新型的基于声光可调滤光器(AOTF)的便携式近红外光谱测量仪,该仪器可用于液态食品的组分浓度的测量.概述了声光可调滤光器的基本工作原理,并详细介绍了便携式近红外光谱仪的系统结构和组...
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73. 长余辉材料的研究进展刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 系统地介绍了长余辉材料的发展历史、发光机理及常规制备方法.结合作者所做的工作及对近几年研究状况的对比分析,展望了长余辉材料的研究趋势和可能的应用前景.
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74. Ⅲ族氮化物刻蚀技术的研究进展刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 随着Ⅲ族氮化物半导体材料研究的发展,Ⅲ族氮化物的图形刻蚀技术也得到了广泛研究.对Ⅲ族氮化物的各种刻蚀技术进行了详细总结和对比,包括湿法腐蚀、RIE刻蚀、ICP刻蚀等,并对目前Ⅲ族氮化物刻蚀技...
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75. 谐振腔增强型光探测器的优化设计刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 讨论了谐振腔增强型光探测器的优化设计方法.综合分析了腔长、DBR反射镜的反射率、吸收层厚度、入光面积等关键因素对探测器性能的影响.采用特定的顺序来确定器件的各个参数,同时分析了驻波效应、生长...
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76. 八路高速光电耦合器的研制刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 研制了一种独特的八路高速光电耦合器.器件采用混合集成电路方式,将24个芯片运用二次集成技术封装在20引线双列直插陶瓷管座中.设计中采用独立腔体分隔技术,将8个光路完全从物理上分离,彻底杜绝多...
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77. 熔锥型光纤耦合器的光学性能刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 利用可调谐光源和光谱分析仪建立的光无源器件测试系统,测试了熔锥型光纤耦合器的附加损耗、插入损耗、方向性和均匀性等光学性能,研究了光学特性与拉锥速度的相关规律.实验发现:器件的光学性能与制作工...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 从InGaAsP单量子阱激光器热效应分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nm InGaAsP单量子阱激光器温度特性进行了研究.实验表明,在23℃～70℃的温度范围内,器件的功率由1.1...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 提出一种基于SOI材料的超紧凑型3×3 MMI波导光开关,开关仅有一个多模波导,且多模波导采用更为紧凑的双曲结构.用FD-BPM方法对其各个状态进行了模拟和分析,并对器件的结构参数进行了优化...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 在已有的分布反馈激光器的电路模型中引入位相回路,从而使这种电路模型能够携带出射光的位相信息,进而反映激光器的啁啾特性.对修正后的模型进行仿真,结果与已报道的结果十分吻合.进一步将这种带位相回...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 介绍了未改性的砷化镓光电导探测器以及经过两束不同能量的质子改性后的砷化镓探测器对X射线的响应,并对它们的输出波形与经过电子改性后的探测器的输出波形进行了比较,结果表明,经过双束质子辐照后的探...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 提出了一种基于塞格纳克效应的用于精确测量光纤陀螺用集成Y波导半波电压的方法--陀螺开环搜索法.这种方法通过特殊的调制和解调方式使塞格纳克干涉仪工作在开环状态,干涉仪的输出信号中包含有调制信号...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 采用序列二次规划算法并通过优化泵浦波长和残留功率,实现了反向泵浦的宽带拉曼光纤放大器(RFA)的增益平坦度优化,大大简化了运算过程,缩短了优化时间.并根据优化结果实现了双泵浦、三泵浦和四泵浦...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 研究了1W级大功率白光发光二板管(LED)发光效率随功率变化的关系.实验结果表明,功率在0～0.11W的范围里,发光效率随功率迅速增加;功率达到0.11W时,发光效率为15.6 lm/W;当...
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85. 多晶硅微型电极阵列的研制刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 讨论了pn结对制作硅微电极阵列的局限性,提出了一种在沟道侧壁制作多晶硅电极阵列的设计和制作方法.实验结果表明,利用该方法研制的微电极阵列不仅克服了pn结的影响,能够为MEMS芯片器件提供所需...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 在生长AlxGa1-xN外延层过程中,由于外延层的热膨胀系数和晶格常数与衬底的不同,导致许多残留应变产生,这会影响外延层材料的能带结构和跃迁能.从理论上分析了在赝形应变下AlGaN的能带结构...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 在空气中利用热氧化方法分别在P型硅、高阻硅、陶瓷以及N型硅衬底上制备了氧化锌(ZnO)薄膜.同时在氧气中、P型硅衬底上氧化制备少量氧化锌薄膜加以比较.氧化时间固定为1 h,氧化温度300℃～...
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88. 纳米硅薄膜光学性质的测定与研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 通过测定纳米硅薄膜的透射谱,建立计算模型计算得出薄膜样品的折射率、厚度、吸收系数和光能隙.计算结果表明这种半导体材料在620 nm波长附近的折射率约为3.4,计算得到的厚度与用台阶仪测量的结...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 从激光晶体低增益谱线的运转机理出发,对LD泵浦Nd:YVO4,LBO腔内倍频457 nm蓝光激光器用光学薄膜进行了研制.在激光反射镜的设计上,为保证基频光914 nm的高效振荡,并获得高的倍...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 研究了在60℃下大气中退火不同时间对Au/p-CdZnTe(CZT)欧姆接触特性的影响.通过I-V测试发现,退火2 h时,Au/p-CZT能得到较好的欧姆接触特性.用SEM和XPS进一步分析...
半导体光电基本信息
| 刊名 | 半导体光电 | 主编 | 江永清 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 重庆光电技术研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1001-5868 | CN | 50-1092/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | soe@163.net |
| 电话 | 023-62806174 | 网址 | www.semiopto.net |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号44所内 |
半导体光电评价信息
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 科学文摘(英) |
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期刊荣誉
| 1. | 信息产业部优秀电子期刊 |
| 2. | 重庆市优秀期刊 |
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