半导体光电2005年第4期出版文献-钛学术文献服务平台

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半导体光电

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Semiconductor Optoelectronics

CA JST SA CSTPCD

影响因子 0.5046

本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。

主办单位：

重庆光电技术研究所

期刊荣誉：

信息产业部优秀电子期刊 重庆市优秀期刊

ISSN：

1001-5868

CN：

50-1092/TN

出版周期：

双月刊

邮编：

400060

地址：

重庆市南坪花园路14号44所内

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热门刊内文献

年度刊次

1. 长余辉材料的研究进展

作者：赵军武齐晓霞

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 267-273

摘要：系统地介绍了长余辉材料的发展历史、发光机理及常规制备方法.结合作者所做的工作及对近几年研究状况的对比分析,展望了长余辉材料的研究趋势和可能的应用前景.
2. Ⅲ族氮化物刻蚀技术的研究进展

作者：沈光地郭霞马丽娜

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 274-279

摘要：随着Ⅲ族氮化物半导体材料研究的发展,Ⅲ族氮化物的图形刻蚀技术也得到了广泛研究.对Ⅲ族氮化物的各种刻蚀技术进行了详细总结和对比,包括湿法腐蚀、RIE刻蚀、ICP刻蚀等,并对目前Ⅲ族氮化物刻蚀技...
3. 谐振腔增强型光探测器的优化设计

作者：任晓敏周守利崔海林马如兵黄永清

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 280-283

摘要：讨论了谐振腔增强型光探测器的优化设计方法.综合分析了腔长、DBR反射镜的反射率、吸收层厚度、入光面积等关键因素对探测器性能的影响.采用特定的顺序来确定器件的各个参数,同时分析了驻波效应、生长...
4. 八路高速光电耦合器的研制

作者：张怡李应辉蒋城

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 284-286,290

摘要：研制了一种独特的八路高速光电耦合器.器件采用混合集成电路方式,将24个芯片运用二次集成技术封装在20引线双列直插陶瓷管座中.设计中采用独立腔体分隔技术,将8个光路完全从物理上分离,彻底杜绝多...
5. 熔锥型光纤耦合器的光学性能

作者：刘景琳帅词俊段吉安苗健宇

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 287-290

摘要：利用可调谐光源和光谱分析仪建立的光无源器件测试系统,测试了熔锥型光纤耦合器的附加损耗、插入损耗、方向性和均匀性等光学性能,研究了光学特性与拉锥速度的相关规律.实验发现:器件的光学性能与制作工...
6. InGaAsP单量子阱激光器热特性研究

作者：张永明秦莉路国光钟景昌

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 291-293

摘要：从InGaAsP单量子阱激光器热效应分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nm InGaAsP单量子阱激光器温度特性进行了研究.实验表明,在23℃～70℃的温度范围内,器件的功率由1.1...
7. 超紧凑型SOI基3×3MMI波导光开关的优化设计

作者：张峰贾晓玲高凡

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 294-298

摘要：提出一种基于SOI材料的超紧凑型3×3 MMI波导光开关,开关仅有一个多模波导,且多模波导采用更为紧凑的双曲结构.用FD-BPM方法对其各个状态进行了模拟和分析,并对器件的结构参数进行了优化...
8. 从等效电路模型分析激光光源的啁啾特性

作者：冯巍巍王幼林祝宁华

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 299-302,306

摘要：在已有的分布反馈激光器的电路模型中引入位相回路,从而使这种电路模型能够携带出射光的位相信息,进而反映激光器的啁啾特性.对修正后的模型进行仿真,结果与已报道的结果十分吻合.进一步将这种带位相回...
9. GaAs光电导探测器的双束质子改性

作者：孙可煦彭能岭林理彬葛兆云黄天暄

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 303-306

摘要：介绍了未改性的砷化镓光电导探测器以及经过两束不同能量的质子改性后的砷化镓探测器对X射线的响应,并对它们的输出波形与经过电子改性后的探测器的输出波形进行了比较,结果表明,经过双束质子辐照后的探...
10. 光纤陀螺用Y波导半波电压的测试方法研究

作者：吴衍记彭昱黄显林

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 307-309

摘要：提出了一种基于塞格纳克效应的用于精确测量光纤陀螺用集成Y波导半波电压的方法--陀螺开环搜索法.这种方法通过特殊的调制和解调方式使塞格纳克干涉仪工作在开环状态,干涉仪的输出信号中包含有调制信号...
11. 宽带拉曼光纤放大器的优化算法与系统实现

作者：李凤勤王春华黄肇明

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 310-313

摘要：采用序列二次规划算法并通过优化泵浦波长和残留功率,实现了反向泵浦的宽带拉曼光纤放大器(RFA)的增益平坦度优化,大大简化了运算过程,缩短了优化时间.并根据优化结果实现了双泵浦、三泵浦和四泵浦...
12. 1W级大功率白光LED发光效率研究

作者：李炳乾

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 314-316,361

摘要：研究了1W级大功率白光发光二板管(LED)发光效率随功率变化的关系.实验结果表明,功率在0～0.11W的范围里,发光效率随功率迅速增加;功率达到0.11W时,发光效率为15.6 lm/W;当...
13. 多晶硅微型电极阵列的研制

作者：吴英张正元江永清温志渝

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 317-319

摘要：讨论了pn结对制作硅微电极阵列的局限性,提出了一种在沟道侧壁制作多晶硅电极阵列的设计和制作方法.实验结果表明,利用该方法研制的微电极阵列不仅克服了pn结的影响,能够为MEMS芯片器件提供所需...
14. 应变对AlxGa1-xN能带间隙弯曲系数和能带结构的影响

作者：吴文光李华兵李述体范广涵谭春华雷勇黄琨

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 320-322,326

摘要：在生长AlxGa1-xN外延层过程中,由于外延层的热膨胀系数和晶格常数与衬底的不同,导致许多残留应变产生,这会影响外延层材料的能带结构和跃迁能.从理论上分析了在赝形应变下AlGaN的能带结构...
15. 热氧化法制备的ZnO薄膜的光致发光特性研究

作者：方粮胡礼中郑东裕

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 323-326

摘要：在空气中利用热氧化方法分别在P型硅、高阻硅、陶瓷以及N型硅衬底上制备了氧化锌(ZnO)薄膜.同时在氧气中、P型硅衬底上氧化制备少量氧化锌薄膜加以比较.氧化时间固定为1 h,氧化温度300℃～...
16. 纳米硅薄膜光学性质的测定与研究

作者：丁琨吴小文崔敏张维佳李国华钟立志

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 327-329,334

摘要：通过测定纳米硅薄膜的透射谱,建立计算模型计算得出薄膜样品的折射率、厚度、吸收系数和光能隙.计算结果表明这种半导体材料在620 nm波长附近的折射率约为3.4,计算得到的厚度与用台阶仪测量的结...
17. LD泵浦Nd:YVO4 457nm蓝光激光器用光学薄膜

作者：卜轶坤薛庆华郑权钱龙生陈颖新

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 330-334

摘要：从激光晶体低增益谱线的运转机理出发,对LD泵浦Nd:YVO4,LBO腔内倍频457 nm蓝光激光器用光学薄膜进行了研制.在激光反射镜的设计上,为保证基频光914 nm的高效振荡,并获得高的倍...
18. Au/p-CdZnTe欧姆接触的研究

作者：介万奇李强汪晓芹

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 335-337,365

摘要：研究了在60℃下大气中退火不同时间对Au/p-CdZnTe(CZT)欧姆接触特性的影响.通过I-V测试发现,退火2 h时,Au/p-CZT能得到较好的欧姆接触特性.用SEM和XPS进一步分析...
19. 气相沉积法制备含酞菁铜聚酰亚胺薄膜的光电性能

作者：任驹侯超奇汪远郑建邦

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 338-341,349

摘要：在2×10-3Pa真空度下,以酞菁铜、均苯四甲酸酐和二氨基二苯醚为原料,通过控制三源单体的加入摩尔计量、加热时间和沉积速率,在玻璃衬底上合成了含酞菁铜的聚酰胺酸,再经150℃～200℃真空加...
20. 光码分多址中地址码性能研究

作者：狄红卫韩耀东

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 342-345

摘要：介绍了光正交码的容量、谱效率、误码率、系统吞吐效率等方面的性能,并进行了仿真计算.分析了码长、最大互相关值对地址码性能的影响.指出在光码分多址地址码的研究中,应当放宽最大互相关值的限制.
21. 基于TOAD的全光多位地址识别

作者：伍剑周云峰林金桐王辉闫玉梅

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 346-349

摘要：采用一个特殊的与门(AND)逻辑运算,基于太赫兹光非对称解复用器(TOAD),提出了一种全光多位地址识别方案,并用其成功实现了20 Gbit/s的四位地址识别和10 Gbit/s的二位地址识...
22. 10Gb/s 0.18μm CMOS光发射机芯片

作者：冯军王志功缪瑜雷恺

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 350-352

摘要：介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的10Gb/s光发射机电路,包括复接器和激光驱动器两部分.仿真结果表明,在1.8V电源电压作用下该电路可工作在10Gb/s速率以上,输入四路单端峰峰值...
23. 一种基于啁啾光纤光栅温度不敏感的应力传感器

作者：于永森卓仲畅张玉书赵志勇郑伟钱颖马玉刚

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 353-355

摘要：提出了一种基于啁啾光纤光栅温度不敏感的应力传感器.这种传感器是以腐蚀后啁啾的Bragg光纤光栅为敏感元件,利用光栅反射功率的变化测量应力的变化,反射功率对温度是不敏感的.利用光功率计检测光栅...
24. 光纤测厚中光谱"双峰"现象的分析

作者：孙艳王昭赵宏

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 356-358

摘要：在用反射干涉频谱法(Rifs)测量薄膜厚度的过程中,薄膜的反射光谱经常见到"双峰"现象,即相邻的波峰(或波谷)连在一起,区别于通常按吸收曲线有规律分布的光谱.对该现象进行了深入研究,结果表明...
25. 荧光寿命的锁相检测技术研究

作者：武金玲王玉田

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 359-361

摘要：针对光纤荧光温度传感器中影响系统精用参考信号、用正弦信号来调制激励光源的锁相技术(PLD-AMSR)对荧光光纤温度传感器的荧光寿命进行检测,推导出测量荧光寿命的数学模型.该方法对激励光泄露有...
26. 航空相机焦面信息检测技术研究

作者：赵梅

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 362-365

摘要：检测航空相机的焦面信息是保证航空相机拍摄出高质量图像的重要的前提条件.提出了一种焦面信息自动检测系统,叙述了系统的工作原理、组成和软件的设计.该系统采用光学准直系统产生焦面信息,利用CCD摄...
27. 正弦光栅条纹的灰度三角细分法

作者：于复生沈孝芹

刊名：半导体光电

发表期刊： 2005年4期

页码: 366-368

摘要：提出了一种基于灰度三角值的正弦光栅条纹细分法,该方法以CCD拍摄的正弦光栅图像的各点灰度值映射为该点的正弦三角函数值从而进行处理.给出了原理说明和对图像细分的实例,并对该方法的抗噪性能进行了...

半导体光电基本信息

刊名	半导体光电	主编	江永清
曾用名
主办单位	重庆光电技术研究所	主管单位	中国电子科技集团公司
出版周期	双月刊	语种	chi
ISSN	1001-5868	CN	50-1092/TN
邮编	400060	电子邮箱	soe@163.net
电话	023-62806174	网址	www.semiopto.net
地址	重庆市南坪花园路14号44所内