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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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35317
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  • 31. 超宽频带VHF频段CMOS LC VCO
    作者： 宁彦卿 王志华 陈弘毅
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年1期
    页码:  14-18
    摘要： 实现了一个宽频带VHF频段CMOS VCO.其最大的改进在于将振荡器中交叉耦合MOS管分为并联可开关的若干段.这样使其特性可以在较大范围内补偿VCO调频过程中状态的变化.该VCO使用标准0....
  • 32. 压力下屏蔽对有限深量子阱中施主结合能的影响
    作者： 温淑敏 班士良
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年1期
    页码:  63-67
    摘要： 考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力的变化,以及准二维电子气对杂质库仑势的屏蔽影响,利用变分法讨论有限深量子阱中的施主杂质态能级.对GaAs/AlxGa1-xAs量子阱系统中...
  • 33. 氧化对SOI基SiGe薄膜残余应变弛豫的影响
    作者： 张峰 王曦 程新利 金波 陈志君 陈静
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年1期
    页码:  86-90
    摘要： 研究了氧化对外延在SOI衬底上的SiGe薄膜的残余应变弛豫过程的影响.通过对SiGe薄膜采用不同工艺的氧化,从而了解不同氧化条件对SOI基SiGe薄膜的应变弛豫过程的影响.氧化将会促使SiG...
  • 34. 抛物线型衬底InGaN/GaN发光二极管的模拟研究
    作者： 夏长生 李志锋 王茺 陆卫 陈效双
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年1期
    页码:  100-104
    摘要： 针对发射到衬底中的光子,提出了一种具有抛物线型衬底结构的InGaN/GaN发光二极管,并对平面衬底和抛物线型衬底InGaN/GaN发光二极管的光子运动轨迹、发射功率角度分布和外量子效率进行了...
  • 35. 适用于1000Base-T以太网的低抖动低功耗频率综合器
    作者： 任俊彦 王彦 郑增钰 陆平
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年1期
    页码:  137-142
    摘要： 采用高速鉴频鉴相器(TSPC)、经典抗抖动的电荷泵、交叉耦合差分延迟单元以及电阻分压相位内插电路等结构设计了一个应用于1000Base-T以太网收发器的频率综合器电路,并能兼容10/100M...
  • 36. SiC肖特基接触的直接隧穿效应
    作者： 张义门 张林 张玉明 汤晓燕 郭辉
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年1期
    页码:  174-177
    摘要： 通过精确求解一维定态薛定谔方程得到电子通过三角形势垒的隧穿几率,模拟了SiC肖特基接触的直接隧穿效应.结果显示该方法比WKB近似更精确,同时也更适合工作在高场条件下的SiC材料,并且能够连续...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

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