半导体学报(英文版)期刊
出版文献量(篇)
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名: 半导体学报

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本学报是由中国电子学会主办,中国科学院半导体研究所承办的学术刊物,报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,被EI、CA、SA等收录,在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有:研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉:
中科院优秀期刊二等奖(90)  全国优秀期刊三等奖(92)  全国优秀期刊三等奖(97) 
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
出版周期:
月刊
邮编:
100083
地址:
北京912信箱
出版文献量(篇)
6983
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  • 作者: 揭斌斌 薩支唐
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  193-200
    摘要: 本文描述双极场引晶体管(BiFET)短沟道解析理论,用解析理论分别计算飘移扩散电流.上月文章用单项电化电流描述飘移扩散电流.正如那篇文章里,两维晶体管分成两个区域,源区和漏区.每区在特定外加...
  • 作者: 张义门 张玉明 徐大庆 王悦湖 王超
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  206-209
    摘要: 研究了钒掺杂生长半绝缘6H-SiC的补偿机理.二次离子质谱分析结果表明,非故意掺杂生长的6H-SiC中,氮是主要的剩余浅施主杂质.通过较深的钒受主能级对氮施主的补偿作用,得到了具有半绝缘特性...
  • 作者: 周玉梅 孙伟锋 李海松 赵野
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  229-233
    摘要: 基于规范化分段线性模型技术,建立了高压DMOS器件的SPICE宏模型用于功率集成电路的仿真.从等效电路模型出发,利用Powell算法找到规范化分段线性模型的最佳系数,从而利用节点电压可以直接...
  • 作者: 哈斯花 班士良
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  234-239
    摘要: 结合变分法与自洽计算方法研究了流体静压力下应变闪锌矿(111)取向GaN/AlχGa1-χN量子阱中受电子-空穴气体屏蔽的激子结合能.计算中,考虑了沿(111)取向生长多层结构时存在压电极化...
  • 作者: 周锋 李舜 陈华
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  288-292
    摘要: 提出了一种对环振型ADC进行温度补偿的新型技术.该技术采用一种基于固定数的计数算法以及CTAT电流偏置技术来补偿温度对输出的影响,不需要任何额外的校准机制.模拟结果证明,通过采用这种技术,在...
  • 作者: Janet M.Wang 吴慧中 唐卫清 李鑫
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  304-309
    摘要: 考虑工艺参数扰动对互连电路传输性能的影响,建立了基于工艺扰动的互连线随机模型.通过改进的去耦算法对随机互连线元进行去耦,结合随机伽辽金方法(SGM)和多项式混沌展开(PCE)进行互连分析,进...
  • 作者: 余金中 周志文 周笔 张永 李成 林桂江 汪建元 王启明 蔡坤煌 蔡志猛 赖虹凯 陈松岩
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  315-318
    摘要: 采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2 H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原...
  • 作者: 余永林 刘水华 张瑞康 张靖 江山 王定理 董雷 赵圣之 陈磊
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  356-360
    摘要: 讨论了取样光栅分布布拉格反射激光器(SGDBR)中取样光栅对激光器调谐范围、输出功率和光谱质量的影响,介绍了其设计流程,并据此对SGDBR进行了实验研究.其取样光栅的反射谱和设计相符,且在3...
  • 作者: 梁艳 靳东明
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  387-392
    摘要: 提出了可构成径向基函数(RBF)神经网络的CMOS模拟单元电路,包括绝对值电路、电流求均方根电路和类高斯函数电路.基于这些电路设计了一个二输入/一输出,含有两个隐层神经元的径向基函数神经网络...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖(90)
2. 全国优秀期刊三等奖(92)
3. 全国优秀期刊三等奖(97)

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