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半导体学报(英文版)2008年第8期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 设计了工作在8GHz的基于AIGaN/GaN HEMTs的内匹配功率合成放大器.输入和输出匹配电路制作在0.381mm厚的氧化铝陶瓷基片上,为了提高整个电路的稳定因子K,在电路输入端增加了片...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 首次提出一种自适应节能方法用于设计4/5高速双模预分频器,它的特点是工作在除4模式时,其中一个D类触发器处于休眠状态.使用台积电混合信号0.25μm CMOS工艺,采用这一自适应节能的设计方...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 介绍了一种微机械叉指静电驱动折叠悬臂梁谐振器的设计和制作方法.将Rayleigh分析法和有限元分析法结合起来分析调整器件尺寸和材料参数对器件性能的影响.制作了三种不同悬臂梁宽度的微机械横向谐...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 使用热丝化学气相沉积技术制备微晶硅薄膜(沉积速度为1.2nm/s),通过原子力显微镜研究了薄膜前期生长的粗糙化过程.按照标度理论获得微晶硅薄膜的生长因子为β≈O.67,粗糙度因子为α≈O.8...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 通过优化Mg流晕增强了MoCVD生长的GaN薄膜的p型电导并改善了晶体质量.Hall测量结果表明卒穴浓度首先随着Mg流量的升高而升高,达到极大值后开始降低;迁移率始终随Mg流量的升高而降低....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 通过计算电子到达阴极面时的能量分布和求解电子隧穿表面势垒的薛定谔方程得到了透射式NEA GaAs光阴极发射电子能量分布的计算公式.利用该公式仿真研究了阴极表面势垒形状对电子能量分布的影响,发...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 利用微波等离子体化学气相沉积法在不锈钢衬底上直接合成非晶碳和碳纳米管混合薄膜.采用氢气和甲烷作为反应气体,流量分别为100和16sccm.沉积室内的压强为5.0kPa.利用场发射扫描电镜(S...
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38. 16×16光开关微镜阵列刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 设计、制造和测试了一种实现16×16 MEMS光开关的高反射率、大角度静电扭转制动型微镜阵列.该阵列的微镜可进行90扭转并保持稳定的扭转状态以对入射光进行导向.针对微镜的扭转驱动特性,提出了...
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39. 一种宽电源电压带隙基准源的设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 提出一种可在宽电源电压范围下工作的带隙基准源设计.由于采用了一些新的结构,使得其电源抑制比和温度稳定性有明显提高.为支持电源管理芯片的休眠工作模式以降低待机功耗,电路中专门设置了一个辅助的微...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 在提出双栅双应变沟道全耗尽SOl MOSFET新结构的基础上,模拟了沟道长度为25nm时基于新结构的CMOS瞬态特性.结果表明,单栅工作模式下,传统应变SiGe(或应变Si)器件的CMOS电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 采用样条分步法SADI与高阶紧致差分相结合的方法,计算用于半导体器件模拟的流体力学模型.数值计算表明,相比当前最为流行的两种器件模拟方法CGS及Newton-S0R,这种方法可以降低方程的迭...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 为了防止在液晶显示面板上发生闪烁和减小栅驱动器的馈通现象,设计了一种基于升压型DC-DC和电荷泵的用于TFT-LCD液品显示的片内门宽调制控制器.该控制器能减小液品显示功耗,减少栅走线和液晶...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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