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电子与封装期刊
出版文献量（篇）
3006
总下载数（次）
24

电子与封装

Electronics and Packaging

影响因子 0.2463
本刊是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。
主办单位：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
ISSN：
1681-1070
CN：
32-1709/TN
出版周期：
月刊
邮编：
214035
地址：
江苏无锡市惠河路5号（208信箱）
出版文献量（篇）
3006
总下载数（次）
24
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  • 1. 3D-TSV封装技术
    作者： 吉勇 明雪飞 燕英强
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2014年7期
    页码:  1-5
    摘要： 3D-TSV封装技术是实现多功能、高性能、高可靠且更轻、更薄、更小的系统级封装最有效的技术途径之一。3D-TSV封装关键技术包括：通孔制作、通孔薄膜淀积、磁控溅射、通孔填充、铜化学机械研磨、...
  • 2. 陶瓷封装对石英晶体谐振器的仿真研究
    作者： 于兰珍 吴荣兴 李建中 李继亮 王骥
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2014年7期
    页码:  6-8
    摘要： 基于三维压电理论，利用有限元软件ANSYS对考虑封装结构的石英晶体谐振器进行了研究。在添加导电胶、封装基座和封盖后，获得了清晰的石英晶体板厚度剪切振动的位移云图和在长度、宽度方向的位移图。数...
  • 3. 回流温度曲线对CBGA植球空洞影响研究
    作者： 姚全斌 姜学明 朱国良 林鹏荣 练滨浩 黄颖卓
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2014年7期
    页码:  9-11,22
    摘要： 随着陶瓷球栅阵列（CBGA）封装形式的产品被广泛应用，空洞对可靠性的影响受到重视。以CBGA256封装形式的电路产品为例，通过调节回流温度曲线研究空洞形成的机理和回流焊时间对空洞率的影响。研...
  • 4. 玻璃封帽内部水汽控制技术
    作者： 郭伟 陈陶
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2014年7期
    页码:  12-13,39
    摘要： 重点介绍采用黑瓷低温玻璃陶瓷外壳（CerQFP64）封装的集成电路水汽超标的原因。根据此种外壳的特殊性，通过采用特殊的高温烘烤处理措施，使采用黑瓷低温玻璃陶瓷外壳（尤其对超过保质期的外壳）封...
  • 5. 电子封装用SnAgCuGa钎料的改性
    作者： 任如桂 贺琴 赵小平
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2014年7期
    页码:  14-15,48
    摘要： 针对SnAgCu钎料存在的熔点偏高、润湿性较差等不足，研究了不同Sb含量对SnAg3.5Cu0.7Ga1钎料性能的影响。结果表明，随着Sb含量的增加，SnAg3.5Cu0.7Ga1钎料的固液...
  • 6. 极大规模集成电路测试技术发展
    作者： 刘远华
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2014年7期
    页码:  16-18,28
    摘要： 集成电路作为新一代信息战略产业的基础，工艺、封装、应用的发展对测试提出了诸多挑战，同时测试作为集成电路产业链的一环，与设计、制造、封装等环节紧密相联。阐述了集成电路设计中高速、高集成度及测试...
  • 7. 共源共栅两级运放的三种补偿结构分析和比较
    作者： 乔明 胡利志
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2014年7期
    页码:  19-22
    摘要： 提出了三种应用于两级CMOS运算放大器的米勒电容补偿结构，分析了三种结构的小信号等效电路，得到传递函数和零点、极点的位置，以此分析和实现三种结构的频率补偿。其中两种共源共栅米勒补偿结构与直接...
  • 8. 基于0.18μm CMOS高压工艺的低压器件优化设计
    作者： 华梦琪 宣志斌 张又丹 朱琪
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2014年7期
    页码:  23-25
    摘要： 产品设计时，是否能灵活应用低压器件与高压器件对一款成功的设计而言至关重要。设计一款多电源芯片，器件电压种类繁多，最高电源为±15 V，基于SMIC 0.18μm 40 V HV-LDMOS工...
  • 9. Trench VDMOS制造流程中多晶相关工艺问题研究
    作者： 赵文魁 马万里
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2014年7期
    页码:  26-28
    摘要： Trench VDMOS的制造流程中，要进行多晶的淀积、回蚀、清洗，其效果的好坏会直接影响到器件的电学参数，诸如Vth、Igss等。在淀积工艺中，要重点控制沉积速率、炉管清洁周期，防止产生沟...
  • 10. 一种高di/dt栅控晶闸管的三重扩散工艺优化
    作者： 孙瑞泽 张波 彭朝飞 阮建新 陈万军
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2014年7期
    页码:  29-33
    摘要： 传统栅控晶闸管（MCT）的制造工艺中存在阱区浓度调整与器件性能最大化之间的矛盾，提出了一种具有高电流上升率的制造工艺的优化，实现了具有更高正向电流能力与低阈值电压的MCT器件。结果表明该工艺...
  • 11. 实现双蓝光波长发光二极管光谱均衡辐射的研究
    作者： 严启荣 章勇
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2014年7期
    页码:  34-39
    摘要： 采用数值分析方法进行模拟分析InGaN/GaN混合多量子阱中不同活性层结构对GaN基双蓝光波长发光二极管光谱的影响。结果发现只依靠改变活性层中的In0.12Ga0.88N/GaN量子阱和In...
  • 12. 抗辐射SOI器件栅氧可靠性研究
    作者： 刘国柱 吴建伟 谢儒彬 顾祥
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2014年7期
    页码:  40-43
    摘要： 对抗辐射SOI器件栅氧可靠性进行研究，比较了体硅器件、SOI器件、抗总剂量加固SOI器件的栅氧可靠性，发现SOI材料片的制备与抗总剂量加固过程中的离子注入工艺都会对顶层硅膜造成影响，进而影响...
  • 13. 国外宇航级混合集成电路发展浅析
    作者： 门国捷
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2014年7期
    页码:  44-48
    摘要： 分析了美国、欧洲、日本等国家发展宇航级混合集成电路的策略、宇航标准体系和产品制造商质量体系认证等情况，详细介绍了美国Crane Interpoint、Natel公司等国际知名企业研发宇航级混...

电子与封装基本信息

刊名 电子与封装 主编 王虹麟
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第五十八研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1681-1070 CN 32-1709/TN
邮编 214035 电子邮箱 ep.cetc58@163.com
电话 0510-85860386 网址 www.ep.org.cn
地址 江苏无锡市惠河路5号（208信箱）

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