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电子与封装期刊
出版文献量（篇）
3006
总下载数（次）
24
总被引数（次）
9543

电子与封装

Electronics and Packaging

影响因子 0.2463
本刊是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。
主办单位：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
ISSN：
1681-1070
CN：
32-1709/TN
出版周期：
月刊
邮编：
214035
地址：
江苏无锡市惠河路5号（208信箱）
出版文献量（篇）
3006
总下载数（次）
24
总被引数（次）
9543
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  • 1. 粘片过程中引线粘污及其处理工艺技术
    作者： 李丙旺 李彪 李苏苏
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2019年8期
    页码:  1-4
    摘要： 在粘片工艺过程中通过分析加工的条件和材料,找出内引线粘污是什么原因造成的.通过理论和实验研究,找出粘片过程中引线粘污最小的工艺条件,其中排风因素会对粘片烘干工艺产生较大影响.分析光清洗与等离...
  • 2. 激光植球工艺参数对焊球剪切强度的影响
    作者： 张浩 李耀 杨晶
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2019年8期
    页码:  5-7,12
    摘要： 激光植球工艺在实际应用中存在焊球剪切强度低于标准的问题.使用Φ500 μm的焊球(Sn63Pb37)进行不同激光参数下的焊接试验,通过测量焊球剪切强度,找到激光高度、激光功率、激光作用时间的...
  • 3. 基于轨道交通车辆中SiC混合模块的散热优化设计
    作者： 张运杰 徐文艺 戴薇 许媛 鲍婕
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2019年8期
    页码:  8-12
    摘要： 大功率SiC混合模块向着小型化、轻量化、大功率等要求发展时,随着功率等级不断提高,模块散热功耗增加,其最高温度也随之增加.过高的温度会对模块性能造成严重的影响,降低其可靠性和使用寿命,因此S...
  • 4. 一种电解电容等效串联电阻的测量方法
    作者： 王金刚
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2019年8期
    页码:  13-15
    摘要： 电解电容是电子产品中不可或缺的储能与电能变换元器件.在高温、高纹波电流的功率变换应用场合中,相对于其他电子元器件,电解电容的寿命是最短的,影响其寿命的关键参数为等效串联电阻(ESR).分析了...
  • 5. 一种基于伪随机噪声注入的流水线ADC数字校准算法
    作者： 刘小乔 包晴晴 唐鹤 彭析竹 符土建
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2019年8期
    页码:  16-20
    摘要： 流水线ADC中运算放大器在设计过程中为了满足建立速度的要求,往往无法达到较高的信号建立精度,从而导致流水线ADC中的乘法数模转换器(MDAC)出现增益误差.提出一种基于伪随机噪声注入的数字后...
  • 6. 用于高速电荷域ADC的电荷比较器设计
    作者： 李蕾蕾 薛颜 钱宏文 陈珍海 魏敬和
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2019年8期
    页码:  21-23,28
    摘要： 设计了一种用于电荷域流水线ADC的高速电荷比较器电路,该比较器包括电荷采样电路、共模不敏感开关电容网络和锁存放大器.仿真结果表明,在0.18 μm CMOS工艺条件下,该比较器在250 MH...
  • 7. 基于抗辐照技术的DDS电路设计与实现
    作者： 万书芹 杨阳 邱丹 陶建中
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2019年8期
    页码:  24-28
    摘要： 直接数字频率合成器(DDS)作为关键器件被广泛应用在航空航天领域中.芯片在广阔的宇宙空间中易受到高能辐射粒子的影响,其中单粒子翻转(SEU)效应是一种十分常见的辐射效应,将导致电路功能异常甚...
  • 8. 一种S波段薄片型TR组件的设计
    作者： 张红英 杨晶晶 莫志明 雒寒冰 麻仕豪
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2019年8期
    页码:  29-30
    摘要： 介绍了一种S波段薄片型TR组件的设计方案,包括TR组件的功能组成、过渡设计、结构设计.给出了该组件的关键指标测试值,对设计结果进行了验证,实现了TR组件的小型化设计.
  • 9. 铟镓砷与金属接触形貌异常分析和改进
    作者： 于峰涛 宋红伟 武艳青 赵永林 赵润
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2019年8期
    页码:  31-35
    摘要： 对P型InGaAs半导体金属接触形貌进行了分析.采用磁控溅射法在P型InGaAs表面制作了不同厚度的金属膜,并在不同温度下进行合金,研究了合金温度和膜层厚度对接触形貌、比接触电阻率的影响.使...
  • 10. 0.13μm全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子效应仿真研究
    作者： 周昕杰 周晓彬 姚进 殷亚楠 花正勇 陈瑶 马艺珂
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2019年8期
    页码:  36-38,43
    摘要： 利用计算机辅助设计Silvaco TCAD仿真工具,研究了0.13 ιm全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)晶体管单粒子瞬态效应,分析了不同线性能量转移(LET)、单粒子入射位置和工作偏置状态对...
  • 11. 基于248nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器
    作者： 彭龙新 王溯源 章军云 黄念宁
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2019年8期
    页码:  39-43
    摘要： 报道了一种0.15 μm GaAs单片限幅低噪声放大器的材料设计和制作工艺,器件关键层制备使用248 nm扫描光刻机和烘胶工艺方案.利用X波段限幅低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证.微波测...
  • 12. Nikon光刻机激光步进对准系统研究
    作者： 罗涛
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2019年8期
    页码:  44-47
    摘要： 介绍了Nikon光刻机最常用的对准方式,即激光步进对准(LSA).从基本的光学系统出发,介绍了LSA在Nikon光刻机中的作用,搜索和增强型全局对准(EGA),详细阐述了LSA的工作原理及其...
  • 13. 《电子与封装》杂志征稿启事
    作者：
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2019年8期
    页码:  48
    摘要：

电子与封装基本信息

刊名 电子与封装 主编 王虹麟
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第五十八研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1681-1070 CN 32-1709/TN
邮编 214035 电子邮箱 ep.cetc58@163.com
电话 0510-85860386 网址 www.ep.org.cn
地址 江苏无锡市惠河路5号（208信箱）

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