电子元件与材料期刊
出版文献量(篇)
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电子元件与材料

Electronic Components & Materials

CACSCDJSTSACSTPCD

影响因子 0.4379
本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果,报道科学技术和行业发展的动态,介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性,深受广大读者好评;一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊;被CA和IEE INSPEC全文收录;系中国科学引文数据库来源期刊,系中国科技论文统计源期刊。
主办单位:
中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
期刊荣誉:
第二届国家期刊奖百种重点期刊(2003年)  
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
出版周期:
月刊
邮编:
610051
地址:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
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  • 作者: 刘霖 宋晔 朱绪飞
    发表期刊: 2000年4期
    页码:  1-2
    摘要: 从绝缘电阻的角度比较国产与进口电容器盖板的差异,指出国产盖板的不足之处.分析国产板材与进口板材的lgρ-t曲线图,揭示出高温下盖板绝缘电阻的下降是阳极腐蚀的重要原因,建议生产厂家从材料纯度、...
  • 作者: 彭莉莉 王训国 谭健
    发表期刊: 2000年4期
    页码:  3-4
    摘要: 改善CA30型非固体钽电解电容器结构的密封性、介质氧化膜的质量及工作电解液温度特性是提高产品质量的稳定性、可靠性及使用寿命的三个关键因素.将半密封结构改为全密封结构,产品质量可显著提高.
  • 作者: 严季新 田间 邓福祥 阎康平
    发表期刊: 2000年4期
    页码:  5-7
    摘要: 研究硝酸后处理对阴极箔比容的影响和稳定化处理形成氧化膜的机理.硝酸浓度和温度低,侵蚀箔稳定化处理后氧化膜不稳定,容量衰减快.浓度和温度高,侵蚀箔容量损失大,侵蚀箔的初始比容低.加入硫脲和六偏...
  • 作者: 吴己丑
    发表期刊: 2000年4期
    页码:  8-9
    摘要: 通过对控制CBB12型电容器包封开裂率的关键工艺的探索,解决了生产制造过程中影响产品成品率的关键--开裂率问题.对其耐电压性能的改进进行了研究,解决了影响产品可靠性水平的关键指标--耐压击穿...
  • 作者: 方沛然
    发表期刊: 2000年4期
    页码:  10-12
    摘要: 对接收机用调谐元件差容可变电容器同步跟踪测量误差进行定量分析,提出减少测量误差的等效EI法的测量方法.
  • 作者: 刘建安 张梅梅 沈建兴
    发表期刊: 2000年4期
    页码:  13-14,17
    摘要: 主要对PbO-SrO-BaO-Nb2O5系铁电性微晶玻璃形成的温度制度作了研究.利用X射线粉末衍射(XRD)图谱确证在一定配比及合理的热处理温度下,能够形成铁电性微晶玻璃.其主晶相为四方晶系...
  • 作者: 吴波 帅世武 沈剑韵 沈化森 胡永海 黄松涛
    发表期刊: 2000年4期
    页码:  15-17
    摘要: 要同时保证PTCR材料和元件具有低室温电阻率和较高的PTC特性,有较大难度.研究了添加Si3N4作为烧结助剂,对PTCR材料的显微结构和电学性能的影响.同添加SiO2作为烧结助剂相比,添加1...
  • 作者: 周东祥 曹明贺 龚树萍
    发表期刊: 2000年4期
    页码:  18-19
    摘要: 用Ba0.93-x(Sr0.07Cax)Ti1.006O3系材料制备了常温电阻率小于9Ω*cm的PTCR热敏电阻.通过Ca引入量的变化发现:Ca含量对PTCR热敏电阻的R-θ性能影响较大;当...
  • 作者: 周明
    发表期刊: 2000年4期
    页码:  20-21
    摘要: 采用一种新的设计方法来研制一种小体积的窄带陶瓷滤波器.此种方法仅采用一种标准的压电振子,并与一定的电容网络相结合,就可实现通常由串、并联两种振子构成的滤波特性.本文探讨了这种压电振子的特性以...
  • 作者: 于治会
    发表期刊: 2000年4期
    页码:  22-24
    摘要: 讨论了机械结构的振动与冲击参数测量用压电传感器测试系统的构造设计与响应特性,通过对压电传感器正向反向灵敏度幅值线性度测试,灵敏度的差异和"饱和现象"的分析,提出在生产过程、鉴定和使用中应加以...
  • 作者: 周雪梅 徐重阳 曾祥斌 王长安 赵伯芳 饶瑞
    发表期刊: 2000年4期
    页码:  24-25
    摘要: 介绍了一种非晶硅(a-Si)薄膜低温晶化的新工艺:金属诱导非晶硅薄膜低温晶化.研究了各种a-Si/金属双层膜退火后的晶化情况.利用X射线衍射分析了结晶硅膜的结构,通过光学显微镜观察了Al诱导...
  • 作者: 刘华 王矜奉 赵连义 陈洪存
    发表期刊: 2000年4期
    页码:  26-27
    摘要: 研究了ZnO压敏电阻器的通流量、非线性系数α值及压敏电压与粉料粒径和Sb2O3含量的关系.研究结果表明,适当添加Sb2O3,将粉料超细粉碎,可以制成通流量4×103A/cm2、α值110、压...
  • 作者: 何永 刘立泉 张崇 李大成
    发表期刊: 2000年4期
    页码:  28-29
    摘要: 以工业硅酸钠和盐酸为原料,采用化学沉淀法制备出纳米二氧化硅.工艺条件为:温度25~35℃、pH值4~6、反应液质量浓度1.15g/L、反应时间10min,添加一定量表面活性剂和分散剂.制得的...
  • 作者: 杨邦朝 胡永达
    发表期刊: 2000年4期
    页码:  29-32
    摘要: 介绍了3-DMCM的四种封装模式的应用实例,详细讨论了各种模式的工艺,优点及存在的问题.3-DMCM是未来微电子封装的发展趋势.
  • 作者: 曲喜新
    发表期刊: 2000年4期
    页码:  33-36
    摘要: 系统介绍了电子元件与材料,论述了它们的类别、发展历程及最新发展.
  • 作者: 付庆龙 余熙北 朱盈权 胡琦 覃建华 郑学芳
    发表期刊: 2000年4期
    页码:  37-39
    摘要: 介绍了PTCR热敏电阻用高纯TiO2的生产现状,即生产能力、生产方法、技术标准、质量水平及市场状况等.据此提出了一些建议.
  • 作者: 刘红东 卢振达 潘伦桃 钟海云
    发表期刊: 2000年4期
    页码:  40-41
    摘要: 结合电容器级钽粉的制备技术,分析了国内高比容钽粉生产技术和研究水平同国外的差距,阐述了电容器级高比容钽粉研究的方向和今后应强化的技术措施.
  • 作者: 陈旭标
    发表期刊: 2000年4期
    页码:  42-43
    摘要: 电子元器件的失效会给电子整机带来故障.对整机中元器件的失效从两个角度进行了分析:(1)元器件自身因设计、材料、制造原因引起的失效;(2)整机厂的设计、作业引起的元器件失效.提出了针对性改善措...
  • 作者: 李世鸿
    发表期刊: 2000年4期
    页码:  44-45
    摘要: 介绍了厚膜金导体可靠性试验方面的一些研究结果.对金的电化学迁移以及厚膜金导体的热试验进行了分析,并讨论了在工艺过程中应注意的一些问题.
  • 作者: 古群 尹鸿 陆锁链
    发表期刊: 2000年4期
    页码:  47
    摘要:

电子元件与材料基本信息

刊名 电子元件与材料 主编 钟彩霞
曾用名
主办单位 中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1001-2028 CN 51-1241/TN
邮编 610051 电子邮箱 journalecm@163.com/zhubei5148@163.com
电话 028-84391569 网址 www.cnelecom.net
地址 成都市一环路东二段8号宏明商厦702室

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