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人工晶体学报
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本刊报道我国在半导体材料、光电子材料、纳米材料、薄膜材料和超硬材料等领域在理论研究、生长技术、性能、品质鉴定、原料制备，以及应用技术和加工等方面的科研成果，同时介绍国内外晶体材料的发展动态与学术交流活动。学报是我国从事人工晶体研究人员与国外同行交流的一个重要窗口。
主办单位：
中材人工晶体研究院有限公司
期刊荣誉：
1987年获优秀编辑二等奖
1989年获优秀期刊奖
1997年获全国第二届优秀科技期刊奖
ISSN：
1000-985X
CN：
11-2637/O7
出版周期：
月刊
邮编：
100018
地址：
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 升华法生长大直径碳化硅(SiC)单晶一直是近年来国内外研究的重点,本文对Si-C系中的Si,Si2,Si3,C,C2,C3,C4,C5,SiC,Si2C,SiC2等气相物种的热力学平衡过程进...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 利用透射偏光显微术、同步辐射X射线形貌术、高分辨X射线衍射方法对6H-SiC(0001)晶片中的微管和小角度晶界等缺陷进行了研究.实验发现,在透射偏光显微镜下,微管通常呈现为蝴蝶形,这是由于...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 低温(280℃)条件下,通过二甲苯中AlCl3和NaN3的反应制备出了AlN纳米微粒.700℃退火48h后,得到了纯的立方相AlN纳米晶.通过XRD、FTIR和定域电子衍射分析,验证了立方相...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 在LiNbO3晶体中掺入In2O3和Er2O3,利用提拉法生长了In:Er:LiNbO3晶体,获得了In和Er在晶体中的分凝系数.通过测试晶体的吸收光谱和抗光损伤能力,确定In:Er:LiN...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 分析了提拉法晶体生长过程中影响滞后变化的因素,采用传统PID调节器和计算机辅助控制相结合的办法,解决了铌酸锂晶体生长过程中的精确等径控制问题,并在大直径铌酸锂晶体生长应用中取得了满意的效果....
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 运用固体与分子经验电子理论计算了六种过渡金属碳化物(MC)的价电子结构及其部分低指数晶面的电子密度.计算结果表明:MC最强键为最近邻M-C键,相邻(111)面间以最强键结合,滑移困难.通过对...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 采用添加PbO的TGG方法定向生长PMNT多晶体,研究了素坯成型压力对PMNT多晶体取向生长的影响规律.结果表明,成型压力直接影响PMNT多晶体的取向生长速度和取向程度.随着成型压力逐渐增大...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 在水热条件下成功合成了氮化硼晶体,为了优化实验条件,本文对实验过程中的影响因素进行了研究,包括反应温度、反应原料的种类、配比以及反应时间.通过对XRD和TEM测试结果的分析可以知道,当反应原...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 采用同步辐射单色光形貌术观察了6H-SiC单晶中的微管缺陷,发现晶片中Burgers矢量为1c的螺位错具有较高的密度.此外,还观察到对应较大Burgers矢量的微管.基于微管附近的应变场,并...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 利用光学显微镜的反射模式观察了升华法生长的6H-SiC单晶(0001)Si-面的生长形貌,应用台阶仪测定了生长台阶高度.实验发现,6H-SiC单晶的生长台阶呈螺旋状,生长台阶呈现出了韵律束合...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 用Czochralski方法生长出铁电钨青铜型单晶(Sr1-xBax)2NaNb5O15(简称SBNN),晶体沿c轴方向生长.正交-四方相的准同型相界(简称为MPB)存在于x=0.45～0....
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 采用坩埚下降法生长了Nd3+掺杂浓度分别为15%、8%和2.5%原子分数的Sr3Ga2Ge4O14晶体,所得晶体最大尺寸为φ26mm×15mm.Nd3+掺杂Sr3Ga2Ge4O14晶体的特征...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 采用坩埚下降法成功生长了铁电锗酸铅(Pb5Ce3O11)单晶.所用Pt坩埚尺寸为φ25mm × 200mm和φ10mm×60mi,炉温控制在高于熔点50～80℃,固液界面温度梯度小于25℃/...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 采用固相反应法制备了La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ(LSGM)固体电解质,XRD测试表明,经1500℃煅烧24h后得到LSGM单相结构,采用交流阻抗测试技术对La0.9Sr...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 采用提拉(Czochralski)法生长了Nd:LuVO4晶体.利用液相反应法,以V2O5和NH4OH生成NH4VO3,Nd2O3、Lu2O3和HNO3生成Nd(NO3)3和Lu(NO3)3...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 采用助熔剂法生长了Er3+,Yb3+共掺的YAl3(BO3)4晶体,测量了晶体的室温吸收谱.由此吸收谱,根据JuddOfelt理论计算了Er3+在Er3+,Yb3+:YAl3(BO3)4晶体...
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17. Tm:YAG晶体的生长及吸收特性刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 采用提拉法生长出三种掺Tm3+浓度的Tm:YAG晶体.运用ICP-AEs测定Tm3+离子在Tm:YAG晶体中的分凝系数约为1.室温下测定了Tm:YAG晶体在190～900nm之间的吸收光谱及...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 本文研究了高温高压水热法合成α-Al2O3晶体的形态特征.在水热条件下,α-Al2O3的晶体形态和合成温度、矿化剂浓度有密切关系.当KOH浓度和温度较低时(如0.1M KOH,390℃),显...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 在中温水热条件下,利用醋酸镉和3-(3-吡啶基)丙烯酸反应,合成了一种新型的二维配位聚合物[Cd(C8H7NO2)2]n.对其进行了元素分析、红外光谱表征和X射线单晶衍射测定.该配位聚合物属...
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20. 水热法合成掺Mn橙色刚玉晶体刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 本文采用水热法,在430℃、40MPa的压力下合成出了纯α-Al2O3晶体.在同样的条件下,通过掺入Mn(NO3)2合成了掺Mn橙红色刚玉晶体.掺入Mn(NO3)2时,合成产物有两种晶体,一...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 在中温水热反应条件下,以CoCl2·6H2O、2,6-萘二羧酸(2,6-pda)和4,4'-bpy为原料,合成了一种二维互穿配位聚合物[Co3(2,6-nda)3(4,4'-bpy)1.5]...
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22. 3m点群晶体纵向压电性能的研究刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 本文详细地介绍了通过坐标变换研究晶体压电性能随空间变化的方法.在以前的工作基础上,对LiNbO3、LiTaO3和PZT60/40等3m点群晶体纵向压电系数d33及机电耦合系数k33在空间分布...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 本文采用中频感应提拉法成功生长了LaAlO3和Ce3+:LaAlO3晶体.沿生长方向即α轴方向切割、抛光后得到实验样品.测试了氢气退火前后纯LaAlO3和Ce3+:LaAlO3从190nm到...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 本文用碳酸盐共沉淀法制备出性能良好的透明Er:YAG陶瓷粉体,并应用DTA-TG、XRD、SEM、红外光谱等测试手段分析其粉体结构和形貌.结果表明在1000℃煅烧过程中,失重约45%,所得到...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 本文主要研究了用VHF-PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品.结果表明:沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大;光敏性(光电导/暗电导)和激活能测试结果给出了相同的变化规律;傅立叶红...
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26. 绒面ZnO透明导电薄膜刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 采用孪生ZnO(Al2O3:2%)对靶直流磁控溅射制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜(迁移率为5.56 cm2/V·s,载流子浓度为4.57×1020cm-3,电阻率为2.46×10-3...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 利用电弧离子镀,在不锈钢和SiCP增强2024铝基复合材料基底上沉积TiAlN薄膜.结果表明:TiAlN膜层直接沉积在不锈钢基底上,膜层呈[111]择优取向;然而,TiAlN膜层沉积在不锈钢...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 线形同轴耦合式微波等离子体CVD装置是一种利用微波天线产生轴向分布的等离子体柱的新型微波等离子体CVD装置.由于它产生的等离子体是沿微波天线分布的,因而可避免石英管式、石英钟罩式以及不锈钢谐...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 较粗糙的表面是影响金刚石厚膜广泛使用的因素之一.本文对CVD金刚石厚膜进行了机械抛光的正交实验研究.实验结果表明,影响抛光效率的因素依次为抛光盘的磨粒、转速、正压力和抛光面积.采用较大粒度的...
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30. 论直拉单晶炉技术平台的逻辑演进刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 要求不断增大晶棒直径、不断提高晶体质量的晶圆市场,推动我国直拉单晶炉产品系列出现过三代更替,与此对应,产品赖以存在的技术平台也经历了三个阶段的演进.第四代产品研发需要在以往技术积累基础上,在...
人工晶体学报基本信息
| 刊名 | 人工晶体学报 | 主编 | 张伟儒 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中材人工晶体研究院有限公司 | 主管单位 | 中国建筑材料联合会 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1000-985X | CN | 11-2637/O7 |
| 邮编 | 100018 | 电子邮箱 | jtxbbjb@126.com |
| 电话 | 010-65491290 ;65492963 | 网址 | www.jtxb.cn |
| 地址 | 北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院，北京733信箱 |
人工晶体学报评价信息
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| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 1987年获优秀编辑二等奖 |
| 2. | 1989年获优秀期刊奖 |
| 3. | 1997年获全国第二届优秀科技期刊奖 |
人工晶体学报统计分析
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