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微电子学1999年第1期出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 总结了超高速集成电路设计中有关晶体管、电阻、互连线等方面的一些经验数据.讨论了电路中电阻、互连线的寄生参数的计算.提出设计超高速集成电路时,提高电路速度的一些有效措施.
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 提出了一种将专用集成电路(ASIC)应用于电子防盗系统设计的新方法.介绍了系统组成和工作流程,给出了FPGA验证结果.该系统利用了ASIC保密性能好的特点,工作时误报率低.
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 介绍了一种单层多晶硅CMOS工艺.该工艺采用P型衬底、N型P型双埋层、N型薄外延结构,掺杂多晶硅作为CMOS晶体管栅极和双极NPN晶体管的发射极.CMOS晶体管采用源漏自对准结构,钛和铝双层...
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 从理论上分析了集成稳压器的瞬态响应和电压调整系数,给出了电压调整系数为0的临界条件.根据分析结果,设计出一种高精度集成稳压器,对其电压比较器的输入阻抗和稳压器的时间常数及增益进行了分析,得到...
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 提出了一种可以显著降低伪随机码发生器功耗的m序列伪随机码发生器并行实现结构.同时,还讨论并解决了并行结构设计中的开关数优化等几个关键问题,并得出相应的一般性结论.最后,讨论了M个抽头的N阶码...
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 提出了一种基于计算几何学的面向两端线网的布线算法.对于给定的布线平面,该算法首先根据障碍情况构造了包含最短路径信息的强连接图,然后引入绕障碍长度作为参数,以决定搜索走向,算法保证能找到最短布...
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 研究了线性电路的等输入/等输出K故障屏蔽方法在容差情况下的应用,提出了故障隶属函数,用以定位故障元件或模糊故障集,从而大幅度地降低了故障与容差之间的模糊性,提高了K故障屏蔽法的实用性.对算法...
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 用差分法给出了集成电路中元件热分析求解温度场的数学模型,结合模拟退火算法对其布局进行了优化设计,大大降低了系统的最大温度值,为专用设备的可靠性提供了坚实的保障.
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 介绍了一种设计同步时序逻辑电路的新方法.该方法之
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 论述了晶片键合技术的发展概况、基本原理和基本方法,并对键合晶片的表征技术作了介绍.最后着重介绍了晶片键合技术在微电子学领域中的应用.
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11. 雷达接收机中的高性能对数放大器刊名： 微电子学发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 概述了用于雷达接收机的三种对数放大器,即连续检波对数放大器(SDLA)、视频对数放大器(LVA)、以及真对数放大器(TLA).分析了国内、国外集成对数放大器的现状及今后的发展趋势.
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 介绍了一种用2 μm N阱双层多晶硅CMOS工艺实现的音频低通MOSFET-C连续时间滤波器,该滤波器实现了带内波动为0.1 dB,通带截止频率3.4 kHz(可调)的传输函数特性.设计了一...
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 讨论了一种在FPGA中可实现的FIR滤波器结构.该结构采用基于流水线型的乘加器和进位保留的加法阵列.为减少硬件消耗,乘法器使用的部分积由修改的Booth算法产生.FIR滤波器用VHDL进行描...
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 设计了一种针对Montgomery算法,以微处理器形式实现的RSA协处理器.该协处理器中的功能部件是并发操作的,在一个周期内最多可同时发射三条指令,指令执行采用了二级和三级流水线混合的形式,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年1期页码:摘要： 采用硅栅结构的自对准离子注入工艺,研制成功了源漏击穿电压BVDS为120 V、输出功率5.1 W、功率增益8 dB、跨导650 mS、截止频率fT为270 MHz的高压双栅功率MOSFET器...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
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期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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