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微电子学1999年第6期出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
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1. 纳米硅薄膜与纳米电子学刊名： 微电子学发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 纳米半导体硅(nc-Si:H)薄膜是利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备的,制备条件可以很好地进行调节控制.纳米硅薄膜由两种组元:纳米尺度晶粒组元和晶粒间的界面组元,即晶态相和...
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 磁性元件的集成化有望彻底解决功率变换器的小型化问题.文中介绍和评述了微制造技术在集成化变压器与电感器制造中的应用,讨论了相关磁性材料的性能与选择、元件的结构及其制作工艺以及集成元件的性能.
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 功耗已越来越成为ASIC设计中必须考虑的重要因素.评述了对ASIC电路的各种功耗估计和分析方法,展望了功耗分析和估计技术的发展,为低功耗设计提供参考.
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 介绍了将电子束探测(EB-P)技术应用于路径延时故障的测试.首先用EB-P的工作原理和实验结果说明了用EB-P测量路径延时的可行性;随后讨论了一种将EB-P用作测试点的测试点插入技术.EB-...
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 对离子注入分布杂质浓度模拟的不同模型进行了简短的回顾,介绍了在SupremⅣ中采用的双Pearson分布模型.通过对B+及As+在不同剂量和能量下对硅中的注入,采用SIMS进行浓度分布测试,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 提出了数字电路组合逻辑设计的一种算法.该算法是直接求取函数无冗余覆盖的算法,参数选择原则较为稳定,全过程以最终减少未被覆盖的最小项数目和降低蕴涵项造价为宗旨,比现有的求解函数覆盖问题的算法更...
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 对传输数据进行加密,是提高IC卡安全性的一个重要手段.文中对一种用于IC卡芯片的加密算法的VLSI实现进行了研究,并用硬件描述语言VHDL对该算法进行了设计和验证.门级仿真结果表明设计正确.
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 正交小波变换可归结为滤波器组的分析和设计,进而便于VLSI的实现.文中将正交格形滤波器用于实现滤波器组结构内部的正交小波变换,并提出了在独立参数空间中,每个参数仅用一个正交μ-循环逼近的格形...
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 提出了一种新的适用于MPEG2视频解码的变字长解码(VLD)结构,根据MPEG2变字长码表的特点,通过合理的码字分割解决码字的存储问题,采用桶式移位器,使得每个时钟能处理一个码字.由于比特流...
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 在物理模型的基础上,对TFSOI RESURF器件的电势和电场分布进行了解析分析,系统研究了漂移区掺杂浓度、漂移区长度、埋层SiO2厚度和SOI层厚度等结构参数同电势和电场分布的关系,并首次...
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11. 三重扩散IGBT的参数优化刊名： 微电子学发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 采用三重扩散工艺制作IGBT是一种比较经济的方法.利用解析方法和二维模拟方法,优化了耐压为600V三重扩散IGBT的部分参数,为实际利用三重扩散工艺制作耐压600V的IGBT提供了参数依据.
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年6期页码:摘要： MOSFET总剂量加固强烈依赖于工艺技术,对干氧方式下不同条件制备的NMOS、PMOS管,分析其辐照响应,并借用亚阈值I-V技术分离氧化物陷阱电荷和界面陷阱对阈值电压漂移的贡献,得出较佳的干...
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 采用CMOS/SIMOX工艺制作1Msample/s8位A/D转换器.该A/D转换器采用半闪烁型结构,由两个4位全并行A/D转换器实现8位转换.电路共有31个比较器,采用斩波稳零型结构,具有...
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14. 中子辐射下双极IC放大性能的变化刊名： 微电子学发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 文中从单个晶体管不同工作电流下中子辐射时损伤常数的预估着手,推出一套适用于计算机模拟的数学模型、实验方法,由辐射下的瞬时电流即时地计算出相应的损伤常数,计算出晶体管的β降低值,以此来预知双极...
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15. 双极器件的快中子辐照损伤刊名： 微电子学发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 从双极器件在快中子脉冲辐射下Frenkel缺陷的产生及其退火机理出发,推导出器件β在中子脉冲作用下随AF(t)和电荷浓度变化的数学模型.同时,给出器件中子脉冲作用下退火规律研究的实验方法及实...
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16. CMOS自对准硅化钛工艺研究刊名： 微电子学发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 形成硅化物的技术有多种:蒸发、溅射和化学气相淀积.文中对单靶溅射钛膜进行了研究.采用两步快速热退火工艺形成TiSi2,通过实验,得出了CMOS自对准硅化钛的工艺条件.
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 介绍了一种超高速运算放大器,其转换速率为2000V/μs、建立时间为25ns(精确到0.1%).重点叙述了其电路结构、工作原理以及PN结隔离互补双极工艺(CBiP)技术.采用CBiP技术实现...
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18. 微波铁氧体器件的控制及其应用刊名： 微电子学发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 阐述了微波铁氧体器件在现代雷达中所起的重要作用,从外加磁场的角度对微波铁氧体器件进行了分类,对各种器件的控制方式进行了讨论,介绍了微电子技术在相控阵雷达中的应用.最后,对器件及电路的发展趋势...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
微电子学评价信息
该刊被以下数据库收录
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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