B+、As+离子注入工艺模拟模型的比较

• 作者: 庞海舟 曹永明 杨文清 郑国祥 阮刚
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 集成电路 工艺模拟 二次离子质谱
• 年，卷（期）: 1999,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 407-412
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 字数: 4880字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.1999.06.005

摘要

对离子注入分布杂质浓度模拟的不同模型进行了简短的回顾,介绍了在SupremⅣ中采用的双Pearson分布模型.通过对B+及As+在不同剂量和能量下对硅中的注入,采用SIMS进行浓度分布测试,对双Pearson模型作了评估.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹永明	复旦大学材料科学系	14	64	4.0	7.0
2	郑国祥	复旦大学材料科学系	24	138	6.0	10.0
3	庞海舟		4	10	2.0	3.0
4	杨文清		2	4	1.0	2.0
5	阮刚	复旦大学电子工程系	15	116	6.0	10.0