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微电子学1999年第4期出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 电视信号 Y/ C数字分离是实现高质量电视视频显示的重要技术.文中分析了传统分离算法存在的问题,提出了一种基于模糊边缘检测的二维 Y/ C 分离算法,提高了自适应滤波的有效性和稳定性.模拟结...
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 论述了一种大规模、高频率 A S I C 的正向设计过程中所遇到的问题,主要包括在综合过程中由于硬件描述语言形式的限制使得加约束比较困难,因而难以满足时序要求;另外,在布局布线过程中由于电路...
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 讨论了用 C 语言描述半规整电路版图结构的基本方法,总结出由基本单元拼接出更大单元的基本步骤,形成了较为通用的半规整电路版图编译器的编制方法.采用这一方法,在设计好某一特定类型半规整电路的单...
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 提出了高速数字伪码匹配滤波器的几种实现方案,评估了其性能,比较了方案之间的优劣.模拟及电路综合的结果表明,文中提出的方案可以使器件工作于25MHZ以上的速度,能满足绝大多数现有的系统的要求.
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 对 5~12 V 推挽式开关电容 D C? D C 变换器的性能进行了理论分析及计算机仿真.结果表明,该结构的输出电流可达 1 A 以上,效率优于 75 ％ ,输出电压纹波小于 20 M V...
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 在考虑了导体和漏损耗的基础上,根据经验公式建立了瞬态信号在损耗共面波导中的传播2模型,对GAUSS和矩形脉冲的传播特性进行了研究.数值计算中,为了避免FFT变换的截断效应,采用了快速小波变换...
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 通过加入辅助输入单元,对自适应线性神经元的输入进行扩展,使其在分类和函数逼近上的能力有了很大的改进.
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8. 触觉神经网络阵列刊名： 微电子学发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 提出了用人工神经网络压力传感器阵列实现机器人手触觉功能的方法.对所设计的神经单元电路运用计算机模拟分析,结果表明,神经单元的特性符合稳定性的要求.以11*11 四突触神经网络阵列与六突触神经...
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 介绍了单管5W大栅宽多胞微波砷化镓MESFET器件的优化设计、关键工艺的创新、器件特性测试等,特别是器件具有高反向击穿电压和耐大电流的特性和并结合器件结构特点和I－V特性,建立了该器件的改进...
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 采用微波参量分析方法能有效地分析高速 GA AS I C在微波域内的频响特性.文中根据电路特性和工艺技术,给出了已报导的一种 GA AS 放大器单元电路的一组特定参数,并进行了微波参量特性研...
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11. CMOS工艺氧化膜完整性的评估刊名： 微电子学发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 提出了用阵列电容来监测氧化层的完整性.分析表明,从多个子列的氧化层电容漏电合格率的曲线可以求出氧化层完整性的表征因子 E 值(每个缺陷包含的单元数).
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12. 提高半导体放电管抗浪涌能力的研究刊名： 微电子学发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 半导体放电管是新一代抗浪涌保护器件,抗浪涌能力是其最重要的特性参数之一.文中分析了浪涌条件下器件失效的高温物理机制,讨论了器件功耗与传热对抗浪涌能力的影响,指出采用多元胞结构可降低由热量集中...
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13. 谐振带间隧道二极管刊名： 微电子学发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 谐振带间隧道二极管是一种双势垒量子阱极性器件,其突出特点在于其峰?谷电流比谐振隧道二极管(属双势垒量子阱非极性器件)高.对其基本工作原理及结构进行了分析,介绍并讨论了这种结构在电路中的两项应...
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14. 新型红外硅微电流光电池的研制刊名： 微电子学发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 利用 P N 结的光生伏特效应,采用集成电路的工艺技术和特殊处理方法,研制成功了短路电流大于 10 μ A,开路电压大于 8 V 的红外硅微电流光电池.
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 提出了空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管( C I? L I G B T),它可以有效地控制高压下阳极区空穴注入,提高器件的闭锁电压.通过对阳极区反偏 P+ N+ 结击穿电压 B V Z、取...
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刊名： 微电子学发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 提出了一种用于低噪声、高精度运放输入级的先进 J F E T 共源共栅结构,分析并验证了该结构在噪声、失调和漂移等方面的优良性能及其在减小芯片面积、提高集成度上的突出特点,并讨论了该结构在运...
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17. 一种热关断电路的设计刊名： 微电子学发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 利用电路中器件的温度特性,采用可控硅等元件,设计了一种热关断电路,该电路可在温度上升到由用户预先设定的范围时发出逻辑信号 T S D 以实现控制.采用 CDS SPICE 软件进行了模拟,获...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
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期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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