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摘要:
介绍了单管5W大栅宽多胞微波砷化镓MESFET器件的优化设计、关键工艺的创新、器件特性测试等,特别是器件具有高反向击穿电压和耐大电流的特性和并结合器件结构特点和I-V特性,建立了该器件的改进型沟道电流非线性模型,最后与实验测试数据比较,其拟合度优于常规模的拟合度.
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文献信息
篇名 一种多胞微波GaAsMESFET和技术及其沟道电流模型
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 MESFET 微波功率管 多胞结构 非线性模型 砷化镓
年,卷(期) 1999,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 267-271,281
页数 6页 分类号 TN385|TN303
字数 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
MESFET
微波功率管
多胞结构
非线性模型
砷化镓
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
出版文献量(篇)
3955
总下载数(次)
20
总被引数(次)
21140
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