微电子学期刊
出版文献量(篇)
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微电子学

Microelectronics

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影响因子 0.2976
本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识,介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论,微电子器件与电路, 集成电路,半导体工艺和制造技术,集成电路封装技术,多芯片组件技术,集成电路可靠性技术,片上系统,集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录,是中国核心期刊之一。
主办单位:
四川固体电路研究所
期刊荣誉:
中文核心期刊  信息产业部优秀电子科技期刊 
ISSN:
1004-3365
CN:
50-1090/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
400060
地址:
重庆市南坪花园路14号24所
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  • 作者: 严晓浪 吴晓波 李凯
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  347-351
    摘要: 为适应低压低功耗应用的需要,提出了一种高性能低压差(LDO)线性稳压器.通过改进稳压器的电路结构和版图设计,引入高精度电路微调技术和完善的过热、过流和过压保护功能,稳压器性能得到了明显的改善...
  • 作者: 刘强 张波 银海
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  356-357,362
    摘要: 提出了一种新的两级运放结构,可以消除由密勒补偿电容引起的右半平面零点.该结构采用多路径零点取消(MZC)的理论,不同于传统的方式,该结构直接利用了第二级的负载管,来引入前馈通路取消右半平面零...
  • 作者: 何峥嵘
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  358-362
    摘要: 简要介绍了一种低功耗调频发射电路的基本原理、电路结构、典型应用,以及电路的工艺制作.通过样品测试,验证理论分析,并提出了改进方案.该电路集成了话筒放大器、参考电压、可变电抗、射频振荡器、缓冲...
  • 作者: 杨毓军 王永禄
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  363-365,369
    摘要: 介绍了一种超高速、低功耗÷8静态分频器.该电路采用0.35 μm BiCMOS工艺制作,晶体管fT 达21 GHz(Vce =1 V).该分频器在-5 V电源电压下功耗为52.5 mW,最高...
  • 作者: 任俊彦 李宁 杨仿 苏彦锋
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  366-369
    摘要: 介绍了一个多模分频器的设计.为了提高工作速度,采用吞脉冲(pulse-swallow)结构,并且两个计数器均采用改进的检测与置数逻辑;但经过分析,发现在吞脉冲结构下,采用该改进逻辑会存在时序...
  • 作者: 何峥嵘 徐佳丽
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  370-372,376
    摘要: 介绍了一种低相位噪声2N分频器的设计.该电路采用0.35 μm BiCMOS SiGe工艺制作.1 kHz频偏下的相位噪声为-150 dBc/Hz,大大低于传统的分频器;在-55~125 ℃...
  • 作者: 刘红侠 郝跃 阙金珍
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  373-376
    摘要: 通过简单的解析模型,提出了电荷泵电路功耗最小化的设计原则.利用这一原则,可以由输入和输出电压确定升压级数,使转换效率最大化.根据所需的输出电流,确定充电电容的值.通过对传统电荷泵电路的改进,...
  • 作者: 刘维京 刘鸿雁 来新泉
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  377-380
    摘要: 设计了一种应用于集成稳压器的新型误差放大电路,其核心部分采用对称性的差分运算跨导(OTA)结构;通过嵌套密勒补偿和动态零点频率补偿技术,显著改善了其性能指标;采用Hynix 0.5 μm C...
  • 作者: 刘银 李平 罗和平 陈友福
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  381-384
    摘要: 在分析传统带隙基准结构的基础上,根据当前集成电路设计中对基准电源的低压、低功耗、高电源抑制比的要求,设计了一种结构比较新颖的基准电压源电路.该电路工作在电流模式,带有启动电路和电流补偿电路,...
  • 作者: 何旭曙 裴颂伟 鲍苏苏 黄河
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  385-388
    摘要: 详细讨论了考虑通孔自热的金属连线温度分布模型,并通过该模型,计算了不同通孔直径和高度情况下,单一及并行金属连线的温度分布.计算结果表明,通孔直径和通孔高度及并行金属连线间的热耦合对金属连线温...
  • 作者: 戴广豪 李文杰 李竞春 杨谟华 王生荣
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  389-391
    摘要: 基于SOI技术原理,模拟仿真了SOI结构SiGe HBT的频率特性,并与相同条件下体SiGe HBT频率特性进行了比较分析.仿真结果显示,SOI结构中埋氧层BOX的引入,可使SOI 结构Si...
  • 作者: 任俊彦 叶凡 易伟 李宁 杨莲兴 毛静文
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  392-395,399
    摘要: 介绍了一种用于1.8 V电源电压下的千兆以太网接收器的模拟前端预均衡电路.电路分为三个部分:预处理电路、基带漂移补偿电路和可变增益放大电路,主要实现回波消除、基带漂移补偿和电路增益自动控制等...
  • 作者: 仇玉林 吕铁良 赵冰 黑勇
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  396-399
    摘要: 介绍一种采用异步实现结构的快速傅里叶变换处理器,该处理器的控制采用本地握手信号取代传统的系统时钟.给出了处理器中异步加法器的电路结构,设计了一个采用Booth译码Wallace tree结构...
  • 作者: 刘建 林海 王高峰 石新智
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  400-402,406
    摘要: 根据三栅(TG)MOSFET二维数值模拟的结果,分析了TG MOSFET中的电势分布,得出了在硅体与掩埋层接触面的中心线上的电势随栅压变化的关系;通过数学推导,给出了基于物理模型的阈值电压的...
  • 作者: 张道礼 朱全庆 李海华
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  403-406
    摘要: 介绍了一种用于千兆以太网卡芯片的8位125 MS/s CMOS流水线A/D转换电路的设计,包括体系结构设计、电路设计与仿真、版图设计.该A/D转换电路经过TSMC 0.13 μm 1P8M ...
  • 作者: 张波 曾天志 罗萍 蒲奎 赵露
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  407-410
    摘要: 提出了一种新颖的功率MOSFET宏模型结构,详细介绍了宏模型建立的整个流程;并将此模型的仿真结果与实验数据进行比较,验证了模型的精度.此模型考虑了功率MOSFET必要的二阶效应,并采用行为级...
  • 作者: 严利人 具丽洁
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  411-415
    摘要: 文章提出了对PCM参数进行正交化而建立起一套广义参数,再以广义参数为基础构建工艺状态空间的技术.在工艺状态空间中,作为工艺结果的测试值集的数据分布为多维椭球体;该椭球体随生产的进行而呈现出连...
  • 作者: 刘元安 南敬昌 黎淑兰
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  416-419
    摘要: 介绍了驱动机制在RF MEMS器件制作中所处的地位.以悬梁类型的RF MEMS开关为例,介绍了RF MEMS器件的各种驱动方式,给出了其原理结构图;详细分析了静电驱动、压电驱动、热驱动和磁驱...
  • 作者: 杨国敏 毛军发 肖高标
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  420-423
    摘要: 利用时域反射技术(Time Domain Reflectometry, TDR),由测量得到的时域反射信号,可以重构出非均匀传输线的一些特征参数.当反射信号中混有噪声时,对非均匀传输线特性参...
  • 作者: 唐璞山 洪晟彦 王伶俐 童家榕
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  424-427
    摘要: 在现场可编程门阵列中,加入总线结构,使现场可编程门阵列芯片能够支持带总线的电路网表.文章提出的布局软件有专门的模块处理总线的分配,并提供了布局软件的测试结果,以验证其可行性.
  • 作者: 侯立刚 吴武臣 李茉 谢通
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  428-431,436
    摘要: 提出了一种应用于芯片物理设计过程中IO单元自动排布的新算法.IO单元排布是芯片物理设计过程中长期依赖经验的环节.IO单元排布的优化对布线,电源网格和设计收敛性的优化有很大贡献.文章重点研究边...
  • 作者: 孟晓风 季宏 钟波 陈晓梅
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  432-436
    摘要: 电子产品微型化使自动测试成为必然,而边界扫描技术则使自动测试成为可能.文章分析了1149.4和1149.1标准的测试访问端口,以及测试逻辑结构和测试协议的异同,提出了模拟边界扫描单元ABM和...
  • 作者: 尚晓丹 张佳 李威 王娜 王继安 龚敏
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  437-440,445
    摘要: 介绍了多级耦合结构高分辨率电荷再分配DAC级间耦合电容值的设计方法.重点讨论了如何根据寄生电容值,对耦合电容值进行优化.将该方法应用到一个16位电荷再分配逐次逼近A/D转换器的设计中.通过C...
  • 作者: 季峰 徐静平 李艳萍 许胜国 陈卫兵
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  441-445
    摘要: 采用反应磁控溅射方法,在Si衬底上制备了不同表面预处理和不同后退火处理的HfO2栅介质MOS电容.测量了器件的C-V和I-V特性,并进行了高场应力实验.器件的界面特性和栅极漏电机理分析表明,...
  • 作者: 王志华 黄水龙
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  446-449,466
    摘要: 提出了一种用数字和模拟电路的方法实现宽调谐范围,减小VCO增益的方案.该方案将宽调谐范围分成一系列相互重叠的子带,用数字调谐电路来设置安排正确的子带频率,结合模拟调谐,锁相环(PLL)能锁定...
  • 作者: 张春 池保勇 王志华 王敬超 马长明 高同强
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  450-455
    摘要: 针对国内外射频识别技术的迅猛发展,结合射频识别技术的应用背景,阐述了读写器中最大的耗能器件-功率放大器的研究现状;指出CMOS工艺应用于功率放大器设计的局限性和可行性;最后,探讨了将CMOS...
  • 作者: 姜岩峰 张媛媛
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  456-460
    摘要: Σ-Δ A/D转换器是利用速度换取精度的高精度模拟/数字转换器.文章分析了Σ-Δ A/D转换器的产生、组成和优势,重点介绍了Σ-Δ调制器结构及其性能指标,简要介绍了数字抽取滤波器.对Σ-Δ ...
  • 作者: 杜高明 高明伦
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  461-466
    摘要: 从SoC的定义出发,依据"PC参考系准则"、"十年变革规律"、"半导体技术发展规律"等基本规律,提出并论证了"NoC是下一代集成电路主流设计技术"的观点,概括了NoC基础理论体系的主要研究领...
  • 作者: 练东 罗驰
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  467-472
    摘要: 简要回顾了微电子封装的发展历程;描述了FC、BGA、CSP以及WLP的基本概念;归纳了凸点类型以及各种凸点的不同用途;着重介绍了电镀金、金锡、锡铅、锡银和化学镀镍凸点的工艺过程,最后简单介绍...
  • 作者: 刘家树 王斌
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  473-475
    摘要: 介绍了一种工作于超短波频段的数控跳频滤波器电路结构的设计.该数控跳频滤波器由数字控制电路和模拟滤波电路组成,输入调谐码通过可编程逻辑器件形成控制码,控制滤波器线性跳频.该滤波器具有跳频点数多...

微电子学基本信息

刊名 微电子学 主编 武俊齐
曾用名
主办单位 四川固体电路研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1004-3365 CN 50-1090/TN
邮编 400060 电子邮箱 wdzx@sisc.com.cn
电话 023-62834360 网址 wdzx.sisc.com.cn
地址 重庆市南坪花园路14号24所

微电子学评价信息

期刊荣誉
1. 中文核心期刊
2. 信息产业部优秀电子科技期刊

微电子学统计分析

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