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微电子学2006年出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 基于SiGe HBT异质结势垒效应(HBE)产生的物理机制,综合考虑Ge引入集电区和大电流下电流感应基区中少子浓度对空穴浓度的影响,建立了异质结势垒高度解析模型.结果表明,将Ge引入集电区可...
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152. SiGe HBT基区渡越时间研究刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 对基于SiGe HBT基区本征载流子浓度和电子迁移率依赖于掺杂、基区Ge组分分布和速度饱和效应的基区渡越时间进行了研究.结果表明,相同Ge组分条件下,基区渡越时间τb随WB由100 nm减薄...
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153. 功率SiGe/Si HBT的温度特性刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 测量了Si/SiGe HBT在23～260℃温度范围内的Gummel图、理想因子n、不同基极电流下的发射结电压VBE、电流增益β、共发射极输出特性,以及Early电压VA的变化情况.结果表明...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 对自行研制的超高真空化学气相外延设备(RHT/UHV/CVD SGE500)的气路系统进行了改进,使之能够生长出较好的Ge分布图形.利用X射线双晶衍射(DCXRD)和二次离子质谱(SIMS)...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 通过求解玻尔兹曼能量平衡方程,得出基区的电子温度分布,建立了考虑电子温度变化,适用于超薄基区SiGe HBT的基区渡越时间模型.该模型考虑了电子温度对迁移率的影响,基区重掺杂和Ge引起的禁带...
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156. 纳米级MOSFET隧穿栅电流量子模型刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 运用一种全量子模型,研究高k栅介质纳米MOSFET(场效应管)栅电流,特别适用于各种材料高k栅介质和高k叠栅介质纳米MOSFET.使用该方法,研究了高k栅介质中氮含量等元素对栅极电流的影响,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 介绍了一种改进型RF LDMOS器件.通过对传统RF LDMOS器件的工艺流程进行修改,并在漂移区上方引入场氧化层结构,改善了器件的准饱和现象.当工作在Vgs=5 V,Vds=10 V条件下...
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158. CMOS偏置电流基准源的两级温度补偿方法刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 提出了一种利用分支电流的正、负温度系数(TC)进行两级温度补偿的新型设计方法,并用标准CMOS工艺实现了一个20μA电流偏置基准源.其结构简单,各参数匹配要求较低,且具有多项参数的设计灵活性...
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159. 纳米级MOS器件中电子直接隧穿电流的研究刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 文章从分析量子力学效应对纳米级MOS器件的影响出发,采用顺序隧穿理论和巴丁传输哈密顿方法,建立了纳米级MOS器件直接隧穿栅电流的计算模型.通过和实验数据的比较,证明了该模型的有效性.计算结果...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： SW-Log-MAP译码算法在传统Turbo译码算法Log-MAP的基础上进行了改进,在保证译码性能的前提下,大大降低其运算复杂度,并将滑动窗的方法应用于译码模块,大大减少了存储空间;并且,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 在简单分析SOVA译码算法的基础上,对SOVA子译码器IP核的设计进行了整体分析;从硬件实现的角度,对译码算法的特征进行了理论分析,得到了对称状态节点的软信息具有确定关联的结论;并据此优化了...
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162. 一种提高锁相环抖动测量精度的方法刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 根据高速、高精度锁相环抖动测量的需要,提出了一种对抖动线性放大的方法.这种方法将ps级的抖动放大为一定脉宽的脉冲信号,然后再通过一些简单的测试电路,对放大后的脉冲信号进行测量.由于对原来的微...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 设计了一种3.3 V 9位50 MS/s CMOS流水线A/D转换器.该A/D转换器电路采用1.5位/级,8级流水线结构.相邻级交替工作,各级产生的数据汇总至数字纠错电路,经数字纠错电路输出...
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164. 一种超低功耗5 GHz双模预置分频器刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 介绍了一种改进型的超高速、低功耗双模预置分频器(÷64/65、÷128/129).该预置分频器采用0.35μm BiCMOS工艺制作,在3.5 V电源电压下最高工作频率达5 GHz,电源电流...
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165. TD-SCDMA终端射频模块的研制刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 介绍了应用于第三代移动通信TD-SCDMA标准的移动终端射频模块的设计和实验测试结果.该射频模块具有结构紧凑、体积小、功耗低、兼容性强、易于与基带电路接口等优点.测试结果表明,其各项指标完全...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 结合脉冲宽度调制(PWM)和脉冲频率调制(PFM)功率损耗特点,提出了一种降压型PWM/PFM混合控制DC-DC变换器芯片的电路结构,大大提高了全负载范围转换效率.重点讨论了混合控制策略和P...
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167. 一种片后数字修调技术及其应用刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 介绍了一种片后数字修调(Trim)技术.传统的修调技术一般是利用熔吹、激光或E2PROM对电路进行修正.该技术提出了一种可反复的修调方案,并可对电阻、电容等各种元器件进行调整,可广泛应用于一...
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168. 低功耗CMOS低噪声放大器的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 针对低功耗电路设计的需求,提出了一种低功耗约束下CMOS低噪声放大器的设计方法,并与传统的设计方法进行了对比.模拟结果表明,按照该方法基于0.18 μm CMOS工艺设计的工作于1.58 G...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 提出了一种基于分段查找表的高速FIR滤波器的实现结构,该结构可应用于任意阶数的高速FIR滤波器设计中.采用分段查找表代替传统的乘法器、在加法输出级中插入流水线,以提高滤波器的工作速度;同时,...
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170. 一种基于微处理器的SOC自测试方案刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 提出了一种基于片上微处理器和透明路径测试访问的SOC自测试方案.以片上微处理器为测试加载和响应收集比较的主体,构造透明路径并行传输测试数据,以嵌入程序控制测试过程.可以在提高测试速度的同时,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 介绍了一种3 V 0.35μm BiCMOS工艺实现的1.6 GHz小数分频频率合成器.它采用新型的24位4阶∑-△调制结构数字调制器,以减少频率合成器的带内相位噪声、锁定频率切换时间,在获...
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172. 超宽带CMOS低噪声放大器的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 设计了一种应用于3.1～5.2 GHz频段超宽带系统接收机的差分低噪声放大器,采用前置切比雪夫(Chebyshev)2阶LC ladder带通滤波器的并联负反馈结构,详细分析了其输入宽带阻抗...
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173. 互连线间容性交叉耦合对时序分析的影响刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 集成电路的性能越来越受到互连线间寄生效应的影响,特别是引起互连线跳变模式相关延迟的容性交叉耦合已成为影响线路延迟的一个重要因素.为了提高分层的时序分析方法的准确性,文章引入了局部伪交叉耦合和...
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174. 混合集成电路常见装配结构热阻分析刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 从常规电子产品热设计基础理论的理解分析入手,结合实际应用,阐述了混合集成电路典型装配结构热阻的简便分析方法;绘制了多种典型结构的内热阻与发热芯片面积的关系曲线和外热阻与封装表面积的关系曲线;...
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175. 本征击穿电场与禁带宽度的关系刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 在汇集实验数据的基础上,提出了对半导体和绝缘体材料的本征击穿电场与其禁带宽度之间关系的通用表达式.根据半导体与绝缘体本征击穿电场规律的不同,首次有依据地提出了用禁带宽度Eg值对材料进行明确统...
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176. 基于采样保持器的滤波电路研究刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 研究和探讨了基于采样保持器的滤波电路--采样保持滤波SHF电路,即利用采样保持器的采样保持特性,对某些特定波形模拟信号进行滤波处理.理论分析表明,这种SHF电路是可行的;实验仿真也证实,相对...
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177. 一种跟踪负载电流变化的LDO频率补偿方法刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 分析了低压差稳压芯片(LDO)的环路频率特性及其与负载电流的关系,提出了跟踪负载电流变化的LDO频率补偿思路和方法,并给出了具体的电路实现.在意法半导体公司的0.8 μm BCD工艺下的仿真...
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178. 低压降CMOS稳压器的电源噪声抑制分析刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 通过对低压降CMOS稳压器工作原理的分析,给出了一种频域分析模型.基于此模型,对低压降稳压器的电源噪声抑制进行了分析和研究,得到了低压降稳压器在频域的传递函数;依据此传递函数,给出了改善电源...
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179. 基于EPP并口的视频芯片验证刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 增强型并口(EPP)是一种PC机与外设之间简单而可靠的通讯手段.文章使用硬件描述语言Verilog,实现了基于该协议数据读写规范的EPP上传和下载IP核设计,以标准的同步FIFO接口,为FP...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 基于特制的无台面AlGaN/GaN HEMT,设计了一种实验方法,用以研究AlGaN/GaN外延表面陷阱态间的电荷输运过程.经实验证实,在器件电流崩塌效应中,存在表面陷阱电荷输运,并确定了相...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
微电子学评价信息
该刊被以下数据库收录
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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