低功耗CMOS低噪声放大器的设计

• 作者: 李永明 王志华 肖珺
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 射频集成电路 低噪声放大器
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 技术报告
• 页码范围: 670-673,678
• 页数: 5页
• 分类号: TN402|TN722.3
• 字数: 3862字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2006.05.034

摘要

针对低功耗电路设计的需求,提出了一种低功耗约束下CMOS低噪声放大器的设计方法,并与传统的设计方法进行了对比.模拟结果表明,按照该方法基于0.18 μm CMOS工艺设计的工作于1.58 GHz的低噪声放大器,在仅消耗1.9 mA电流的条件下,噪声指数小于1 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志华	清华大学微电子学研究所	183	1964	21.0	36.0
2	李永明	清华大学微电子学研究所	48	635	15.0	24.0
3	肖珺	清华大学微电子学研究所	1	26	1.0	1.0