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微电子学2014年出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
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121. EEPROM和SRAM瞬时剂量率效应比较刊名： 微电子学发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 对一种256 kb EEPROM电路AT28C256和一种256 kb SRAM电路HM62256开展了“强光一号”瞬时剂量率效应实验,测量了存储器的闩锁效应、翻转效应等.HM62256的翻...
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122. 亚100 nm硅集成技术融合趋势刊名： 微电子学发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 对亚100 nm硅集成技术融合趋势进行了展望.各项新技术使MOSFET器件可以按比例缩小到10nm以下节点,让摩尔定律在未来很长时间继续有效.另一方面,随着硅通孔等技术的日益成熟,器件、芯片...
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123. 无线NoC研究与进展刊名： 微电子学发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 分析了无线NoC的一般结构,对两种典型拓扑结构及其相关特性进行了比较,并对无线NoC涉及到的关键通信机制,特别是片上天线、路由及通信协议对其性能的影响进行了讨论,最后对未来无线NoC的技术热...
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124. 基于加速退化试验的模拟IC寿命评估研究刊名： 微电子学发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 为解决高可靠性、长寿命模拟集成电路的寿命评估问题,结合半导体器件退化失效的特点,提出了基于加速退化试验的模拟集成电路寿命评估方法.在此基础上,以某型电压基准模拟IC为研究对象,通过对退化数据...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 介绍了一种提高SiGe HBT器件电学特性的基区Ge组分分布方式.这种优化的Ge分布模型在靠近发射极与集电极处为均匀分布,中间为梯度分布.借助于TCAD仿真工具,在基区Ge组分总量不变的条件...
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126. 肖特基接触的机理及不均匀性研究刊名： 微电子学发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 对一般情况下肖特基接触的机理和肖特基势垒高度的影响因素做了系统分析,研究了肖特基接触特性的不均匀性及其原因,指出多晶界面势垒高度比同种材料的要低.通过实验,研究了金属/n-poly-Si0....
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127. 航空太阳能电池用超薄锗单晶的精密抛光刊名： 微电子学发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 主要对影响锗单晶抛光后表面微粗糙度的关键因素—抛光液组分的作用进行分析.采用变量控制的实验方法,从活性剂、有机胺碱、氧化剂、硅溶胶磨料和螯合剂五个因素出发进行实验.针对粗糙度影响因素进行分析...
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128. 硅化钨MIP电容侧墙淀积工艺优化刊名： 微电子学发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 硅化钨MIP工艺在集成电路和半导体器件制造中有着广泛的应用,但硅化钨膜在后续的侧墙工艺中容易出现剥落问题现象.通过对硅化钨材料特性,以及与电路制造相关联工艺的深入分析,发现在一定温度下,硅化...
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129. 混合微电路内部水汽含量控制技术刊名： 微电子学发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 根据气密性封装混合微电路内腔残余气体数据的测试结果,对水汽含量超标的样品进行了深入分析.提出了一种阻断分离法,可用于分析混合微电路水汽失效的原因.采用该方法,对可能引起水汽失效的外壳密封性问...
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130. 一种ADC积分非线性参数内建自测试方案刊名： 微电子学发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 针对ADC(模数转换器)静态参数中积分非线性参数测试的问题,提出了一种快速测试的内建自测试方案.该方案利用数字谐振器和Σ-Δ调制器生成正弦测试源信号,依据FFT算法建立ADC的切比雪夫函数逼...
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131. 信息动态刊名： 微电子学发表期刊： 2014年4期页码:摘要：
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132. 用于SoC集成的IP核质量评测方法研究刊名： 微电子学发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 采用IP核进行SoC设计是集成电路的发展趋势.然而,IP核的质量参差不齐,如何选用高质量IP核成为困扰SoC用户的难题.针对IP核可重用的特点及其在SoC集成应用中的难点,提出了一种主客观相...
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133. MEMS平面S型锥形弹簧的特性分析研究刊名： 微电子学发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 针对MEMS平面S型等直梁弹簧压杆稳定性及抗共振性能较差等问题,提出了一种MEMS平面S型锥形弹簧,推导出平面锥形弹簧y向刚度系数公式,并通过仿真实验对理论公式进行验证,发现在集中力作用下,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 在高速OFDM接收机中利用分时ADC (TIADC)对接收信号进行采样,解决了单片ADC不能满足传输速率高达数Gb/s的通信系统需求的难题.由于TIADC各通道间的不匹配,时钟失配误差和增益...
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135. 脉冲超宽带系统中的高速低功耗ADC设计刊名： 微电子学发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 采用TSMC 0.13 μm CMOS工艺,设计并实现了一种适用于脉冲超宽带无线通信系统的低功耗高速单比特模数转换器(A DC).芯片内部采用并行数据降速输出电路.芯片测试结果表明,该ADC...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 设计了一个12位,采样速率为120 kS/s的SAR ADC.提出了一种12位精度下,能在电容面积和精度之间进行折中的算法,使得电容的整体面积、速度和功耗达到优化.通过对比较器的设计,解决了...
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137. 12位800 MS/s ADC设计刊名： 微电子学发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 提出了一种基于0.18 μm CMOS工艺设计的12位800 MS/s高速ADC.采用独特的折叠/内插与流水线相组合的结构,兼具折叠/内插结构的高转化率与流水线结构的高分辨率的优点.介绍了A...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 基于2μm SOI CMOS工艺,设计了一种输出电压达负电源的运放,用作12位四通道D/A转换器的单位增益缓冲.分别在VDD=+5 V,Vss=0 V,VREFH=2.5 V,VREFL=0...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 提出了一种10位200 MHz高速流水线型模数转换器.该转换器共有9级,其中1到8级采用1.5位每级结构,最后一级采用2位闪速型模数转换器结构.设计中使用带增益自举的套筒式共源共栅运放,可同...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 提出了一种高压Buck转换器自举供电电路.该电路直接由芯片外部电源对自举电容充电,具有快速响应和大驱动电流等特点,满足大尺寸N型功率开关管的驱动要求.本设计适用于具有轻载高效模式的高压Buc...
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141. 一种自校准全数字TDC的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 随着工艺技术的进步,基于CMOS工艺的全数字时间数字转换器(TDC)受到了广泛关注,在测量、测距、计量等领域得到了广泛应用.提出了一种具有自校准算法、结构简单、测量精度稳定的全数字TDC设计...
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142. 一种高速低功耗动态比较器设计刊名： 微电子学发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 提出了一种应用于最小能量追踪系统的改进型高速低功耗动态比较器.通过在锁存比较器中引入额外的正反馈,使得动态比较器具有响应速度更快、功耗更小的优点,同时电路规模与版图面积基本保持不变.基于65...
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143. 一种CMOS温度传感器的设计及其应用刊名： 微电子学发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 提出了一种新的对温度传感器输出电压进行微调的电路和方法.利用温度自适应模块调节输出电压与温度关系曲线的斜率,并添加CMOS减法电路以调节曲线的截距.该电路结构简单,相比用电平平移电路和比例电...
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144. 一种无运放的高电源抑制比基准电压源设计刊名： 微电子学发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 设计了一种基准电压源电路.在分析传统带隙基准结构的基础上,该电路不采用运放结构,避免了运放失调电压对基准源的影响,并加入内部正、负反馈回路,对基准绝对数值进行补偿.仿真结果表明,当温度在-4...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 基于0.5 μm InGaAs pHEMT工艺,设计了一款应用于“北斗二号”导航系统的共源共栅低噪声放大器,其工作频率为1 575.42 MHz.该设计采用具有源端电感负反馈的电路结构,实现...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 采用0.13 μm RF CMOS工艺,设计了一款可应用于EoC收发芯片的三频段上混频器,通过改变接入并联LC负载谐振网络中电容的值,使电路分别工作在1.2 GHz,2 GHz,2.4 GH...
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147. 应用于EoC芯片的宽带低噪声下混频器设计刊名： 微电子学发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 基于SMIC 0.13 μm RFCMOS工艺,提出了一种可应用于EoC (Ethernet over Cable)芯片接收机的输出阻抗可调(200～500 Ω)的宽带低噪声下混频器,覆盖了...
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148. 一种开关电源的时序控制电路设计刊名： 微电子学发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 具有时序控制的开关电源正在毫米波系统中得到广泛应用.分析了时序控制的基本原理,对影响电源时序控制的各种因素进行了探讨,对现有的时序控制方案进行了分析,提出了开关电源时序控制的基本方法.基于以...
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149. 一种快速瞬态响应LDO的设计与实现刊名： 微电子学发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 设计了一种快速瞬态响应LDO.采用缓冲级结构的增强电路,使功率器件在负载瞬态变化时,栅极能够及时响应,从而避免了较大的电压上冲与下冲.加入缓冲级电路以后,系统的稳定性变差,采用密勒补偿和前馈...
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150. 一种应用于LDO的动态补偿技术刊名： 微电子学发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 通过对传统LDO频率补偿电路的极点、零点进行分析,提出一种新型动态补偿技术,显著改善了电路的性能指标.采用0.6 μm BiCMOS工艺模型进行仿真,结果表明,当负载电流由1mA变化至300...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
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| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
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期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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