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微纳电子技术期刊
出版文献量（篇）
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16974

微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名： 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄市179信箱46分箱
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  • 121. 基于微细加工技术的高精度荧光检测生物芯片
    作者： 杉山进 李以贵 颜平 黄远
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2015年11期
    页码:  707-712
    摘要： 荧光检测生物芯片在生命科学研究及诸多相关领域已经得到了广泛应用.利用荧光修饰核酸探针可以在液相态中检测到c-fos mRNA致癌基因信息或病毒性核糖核酸(RNA).通过微细加工技术分别制造了...
  • 122. 低频响应MEMS压电式微型振动发电机
    作者： 丑修建 何剑 刘立 安坤 张文栋 陈东红
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2015年11期
    页码:  713-717,728
    摘要： 利用溶胶-凝胶工艺实现均匀致密压电(PZT)膜与Pt/Ti/SiO2/Si/SiO2晶片良好异质集成制造,结合湿法腐蚀、干法刻蚀、磁控溅射、光刻和剥离等MEMS加工工艺制造了一种"单中心质量...
  • 123. 基于光镊原理的光纤激光驱动细胞方法
    作者： 周围 姜云峰 张思祥 李姗姗 杨丽 程景萌
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2015年11期
    页码:  718-721,746
    摘要： 提出了一种利用聚焦激光通过单模光纤对酵母细胞驱动的实验方法.基于光压产生光镊的原理,在微通道宽度为100 μm的微流控芯片中,波长为650 nm、功率为200mW的红色半导体激光通过单模光纤...
  • 124. 基于粘滑原理纳米定位平台的设计和分析
    作者： 孙伏俊 杨飞雨 汝长海 汪成伟 潘鹏
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2015年11期
    页码:  722-728
    摘要： 为了能实现跨尺度纳米定位操作,研制了一个基于粘滑驱动机理的纳米定位平台.采用柔性铰链的驱动机构,在对其在垂直方向上和驱动方向上的刚度进行分析的基础上,进行尺寸优化,从而减少定位平台在垂直方向...
  • 125. 碳化硅直接键合及其界面微观结构分析
    作者： 刘雨涛 张瑞 梁庭 熊继军 王心心 王涛龙 贾平岗
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2015年11期
    页码:  729-732,746
    摘要： 针对碳化硅(SiC)材料在微电子制造和封装过程中广泛的应用前景,对碳化硅与碳化硅进行了直接键合实验.通过拉伸实验进行了样品键合强度的测试以及借助扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)等对...
  • 126. 磨料粒径对多层Cu布线CMP的影响
    作者： 何彦刚 刘玉岭 周建伟 张燕 武鹏 秦然
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2015年11期
    页码:  733-736
    摘要： 阐述了碱性抛光液中磨料的质量传递作用对多层Cu布线化学机械抛光(CMP)过程中抛光速率和抛光后晶圆表面状态的影响,通过对比不同磨料粒径抛光液在3英寸(1英寸=2.54 cm)铜晶圆上的抛光实...
  • 127. 氧化剂在TSV铜膜CMP中钝化机理
    作者： 刘玉岭 张燕 王辰伟 邓海文 闫辰奇
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2015年11期
    页码:  737-740
    摘要： 为实现TSV硅衬底表面铜去除速率的优化,对影响TSV铜去除速率的最主要因素抛光液组分(如磨料、螯合剂、活性剂和氧化剂)中的氧化剂进行分析.通过对不同体积分数的氧化剂电化学实验进行钝化机理的研...
  • 128. Ni纳米线的化学还原法可控制备
    作者： 刘圆 刘春萌 唐炼 张家奇 相文峰 赵昆 赵重阳
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2015年11期
    页码:  741-746
    摘要： 利用化学还原法制备了Ni纳米线,通过扫描电子显微镜(SEM)研究了制备参数(磁场强度、Ni2+离子浓度和反应温度)对Ni纳米线合成以及结构的影响.实验结果表明:磁场强度是影响Ni纳米线直径均...
  • 129. 纳米尺度相变存储器小型化研究进展
    作者： 付英春 周亚玲 杨富华 王晓东 王晓峰
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  749-756
    摘要： 相变存储器(PCRAM)因其具有非挥发性、循环寿命长、结构简单、与现有CMOS工艺相匹配等优点,在存储技术领域受到了广泛重视.综述了相变存储器器件小型化的研究现状,介绍了相变存储器的基本原理...
  • 130. Zn∶NiO纳米线的制备及其光催化活性
    作者： 张万松 张家奇 王爱军 相文峰 赵昆 赵重阳
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  757-760,778
    摘要： 通过化学还原法及退火处理制备出了锌掺杂的氧化镍(Zn: NiO)纳米线.用扫描电子显微镜、X射线衍射以及能量色散谱对纳米线的结构和组分进行了测试与分析.测试结果显示:所制备的Zn:NiO纳米...
  • 131. ICPECVD法低温制备氧化硅薄膜的致密性
    作者： 刘雨涛 张瑞 梁庭 熊继军 王心心 王涛龙
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  761-764,785
    摘要： 以SiH4和O2作为反应气体,利用电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD)技术在100～200℃内制备了氧化硅薄膜,采用HF酸腐蚀速率法来表征其致密性,并通过正交试验设计的方法研...
  • 132. 宽响应范围的MEMS热电偶真空度传感器
    作者： 唐力程 杨涛 欧文 毛海央 熊继军 薛晨阳 陈大鹏 雷程
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  765-769,810
    摘要： 报道了一种基于双层多晶硅材料的MEMS热电偶真空度传感器.该器件采用双层热偶排布方式可进一步减小器件横向尺寸,同时采用XeF2各向同性正面刻蚀技术释放形成微腔结构,该技术避免了湿法腐蚀工艺复...
  • 133. 用于Lamé模态方块谐振器的压控电流源模型
    作者： 宋亚梅 李昕熠 梁冰 鲍景富
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  770-778
    摘要： 提出了一种可以用于Lamé模态方块微机械谐振器的压控电流源模型.推导了器件的电气参数以建立电路模型.模型中还加入了一个压控调谐电容来描述谐振器的频率非线性特性.该电容值和模型中的其他参数既可...
  • 134. 二自由度双稳态振动能量采集器输出性能分析
    作者： 何青 毛新华 褚东亮
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  779-785
    摘要： 利用弹簧能将激励振幅放大的特性,设计了一种二自由度的微型双稳态振动能量采集器,通过结构分析和集总参数模型分析,建立了二自由度的微型振动能量采集器的动力学方程.通过数值模拟,得到激励频率和幅值...
  • 135. 基于准分子激光的X光掩膜板与压电陶瓷加工
    作者： 杉山进 李以贵 颜平 黄远
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  786-790
    摘要： 随着元器件的微型化、精密化发展,对快速微细加工提出了巨大需求.基于准分子激光微细加工技术,以串行加工方式加工了X光掩膜板图形结构和压电陶瓷(PZT)微结构.研究了波长为248 nm KrF准...
  • 136. 螯合剂在TSV CMP中对铜膜抛光效果的影响
    作者： 刘玉岭 张燕 张金 洪姣 牛新环 王辰伟 闫辰奇
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  791-794
    摘要： 化学机械抛光(CMP)是硅通孔(TSV)工艺中的关键步骤之一,抛光工艺和抛光液是影响抛光效果的两大决定因素.主要研究了抛光液中螯合剂在TSV CMP中对铜膜去除速率及抛光后铜膜表面粗糙度的影...
  • 137. 硅基磁性纳米SiO2微球的制备与表征
    作者： 叶子 李凡 林文章 林青 赵俊杰
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  795-799
    摘要： 采用St(o)ber法,以Fe3O4为磁核,制备出粒径为250～300 nm的磁性SiO2-Fe3O4复合微球.详细介绍了St(o)ber法制备微球的实验过程,并对所制得的复合微球做了X射线...
  • 138. 基于硅基图形衬底的Ⅲ-Ⅴ族材料异质生长
    作者： 吕奇峰 杨富华 洪文婷 王昊 韩伟华 马刘红
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  800-810
    摘要： 介绍了基于硅基图形衬底的Ⅲ-Ⅴ族材料异质生长的方法,主要包括选区生长Ⅲ-Ⅴ族纳米线和微通道外延薄膜.选区生长Ⅲ-Ⅴ族纳米线可以有效控制Ⅲ-Ⅴ族纳米线的直径,并控制位错扩散,从而可以在硅衬底上...
  • 139. 碱性清洗液中pH值对苯并三氮唑去除效果的影响
    作者： 刘玉岭 王辰伟 邓海文 顾张冰 高宝红
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  811-814
    摘要： 主要在以碱性螯合剂去除苯并三氮唑(BTA)的基础上,通过改变清洗液的pH值来研究螯合剂对BTA去除效果的影响.BTA会和铜在其表面生成一层致密的Cu-BTA膜,使铜的表面疏水.利用这一特性,...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

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微纳电子技术统计分析

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