真空科学与技术学报期刊
出版文献量(篇)
4084
总下载数(次)
3
总被引数(次)
19905

真空科学与技术学报

Chinese Journal of Vacuum Science and Technology
曾用名: 真空科学与技术

CACSCDJSTCSTPCD

影响因子 0.3586
本刊是全国中文核心期刊,长期被EI、CA、SA等国际蓍名检索系统收录,已全文上网。本刊通过中国图书贸易总公司代理向国外发行。目前在美国、英国、德国、荷兰及我国的香港与台湾地区均有订阅,有一定的影响力。在国内各高等院校科学院所涉及到真空科学与技术论文都大多数向本刊投稿,已成为国内外关学者发表高水平科研成果的主要载体。
主办单位:
中国真空学会
ISSN:
1672-7126
CN:
11-5177/TB
出版周期:
月刊
邮编:
100022
地址:
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
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  • 作者: 任兆杏 吕庆敖 梁荣庆 程绍玉
    发表期刊: 2001年3期
    页码:  226-228
    摘要: 为了经济地考验空间电离层等离子体对处于其中的飞行器表面的作用,需要在地面建立等离子体环境模拟器。本文就是为空间电离层环境模拟器研制的扩散型极低气压、低电子温度和极低密度的紧凑型电子回旋共振等...
  • 作者: 张溪文 韩高荣
    发表期刊: 2001年3期
    页码:  229-232
    摘要: 研究了真空热蒸发制备CdTe薄膜的光电性能以及微结构、化学组成和成膜机理。通过X射线衍射、透射电镜电子衍射、X光电子能谱和光、暗电导测试等分析手段,系统表述了薄膜的组成、结构、表面氧化与真空...
  • 作者: 俞建华 孙承休 王茂祥
    发表期刊: 2001年3期
    页码:  233-236
    摘要: 对MIM(Au-SiO2-Al)和MIS(Au-SiO2-Si)隧道结的表面等离极化激元(surface plasmon polariton,SPP)的激发与色散关系进行了讨论,对结的发光光...
  • 作者: 冯焱 张建军 张涤新 李得天 李正海 李莉 许珩 龚月莉
    发表期刊: 2001年3期
    页码:  237-241
    摘要: 分压强质谱计校准装置用于质谱计的校准。本文介绍了分压强质谱计校准装置的结构、工作原理及分压强测量方法,并给出了分压强测量的不确定度分析。
  • 作者: 祁康成
    发表期刊: 2001年3期
    页码:  242-244
    摘要: 钇铝石榴石(YAG)单晶可以作为投影管的发光屏衬底材料,因为YAG的膨胀系数与九五瓷相近,利用金属铝在真空中向YAG和陶瓷中扩散实现扩散焊接。采用辐射加热方式,在温度为600 ℃,压力为25...
  • 作者: 万宝年 张晓东 曾敏 李建刚 胡建生 辜学茂 陈俊凌 龚先祖
    发表期刊: 2001年3期
    页码:  245-249
    摘要: 通过对1种新型石墨材料进行等离子体轰击实验,近似计算出材料的热导率大约为70 W/m*K,石墨可以承受高达2.41 MW/m2的能流密度(实验中最大值)。模头位置及波加热条件下,石墨受等离子...
  • 作者: 徐伟军 翁明 郑华 郑德修
    发表期刊: 2001年3期
    页码:  250-253
    摘要: 讨论了介质阻挡放电照相的物理过程,并建立了相应数学模型。在此基础上得出了介质阻挡放电照相的衬度曲线,以此探讨了介质阻挡放电照相的机理,并用实验对此进行了验证。论文工作是对Kirlian ph...
  • 作者: 钱祥忠
    发表期刊: 2001年3期
    页码:  254-257
    摘要: 用等离子体增强化学气相沉积法制备了厚为1 μm左右的B轻掺杂a-Si∶H光电导层,得到了a-Si∶H的暗电导率与淀积工艺参数和B掺杂比关系的实验曲线,利用该曲线确定了最佳工艺参数和最佳掺杂比...
  • 作者: 华中一 孟扬 杨锡良 沈杰 章壮健 蒋益明 陈华仙
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  259-262,268
    摘要: 虽然采用常规的热反应蒸发法就可以在约350 ℃的玻璃基底上制备出性能优良的In2O3∶Mo(IMO)薄膜,但是随着基底温度的降低,IMO薄膜的电导率和可见光透射比都迅速减小.通过高频放电在反...
  • 作者: 宋伟杰 曹立礼 王道元 苏树江
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  263-268
    摘要: 利用变角X射线光电子谱对氧等离子体处理前后氧化铟锡ITO薄膜的表面化学状态进行了表征.实验发现用溶剂清洗之后的ITO薄膜表面存在一层厚度大约为0.7 nm的非导电碳氢化合物污染层.氧等离子体...
  • 作者: 李彬 柳百新 苗伟 陶琨
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  269-272,280
    摘要: 利用金属蒸气真空弧离子源,将大束流Zr和V离子注入到Al中,在离子注入过程中直接形成了金属间化合物Al3Zr,Al10V和Al3V.当Zr离子束流密度为64 μA/cm2,剂量为5×1017...
  • 作者: 许宁生 邓少芝 钱峰 陈军
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  273-276
    摘要: 利用金刚石及其相关薄膜制作冷阴极电子源,以及这类电子源在平板显示器件上应用的研究,是真空电子领域中一个重要的研究课题.本文对已研制成功的薄膜型冷阴极电子源发光器件进行了响应延迟特性的研究.同...
  • 作者: 张治军 李东旭 李庆霖 杨建军 汪汉卿
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  277-280
    摘要: 报道了担载不同贵金属或过渡金属氧化物的TiO2催化剂对空气中微量甲醛的光催化氧化的研究结果.实验发现,TiO2上担载Fe2O3或Pt时对甲醛均有较高的光催化氧化活性.同时担载双组分的光催化剂...
  • 作者: 梁荣庆 舒兴胜 邬钦崇
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  281-284,290
    摘要: 在水冷反应室式微波等离子体化学气相沉积装置中以混合的CH4/H2/O2为反应气体,研究了O2浓度对制备金刚石膜的影响.实验发现,很低浓度的O2会显著促进金刚石的沉积,并稍稍抑制非晶C的沉积,...
  • 作者: 凌启淡 刘旭 唐晋发 范希智 陈君 顾培夫
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  285-290
    摘要: 研究了稀土Eu的有机配合物Eu(DBM)2 (AA)phen的光致发光特性.用Eu(DBM)2 (AA)phen 作发光层,分别用N,N-双(3-甲苯)-N,N-二苯联苯胺(TPD)和聚...
  • 作者: 亓震 叶志镇 王亚东 赵炳辉 黄靖云
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  291-293
    摘要: 采用傅立叶红外吸收光谱(FTIR)和X射线衍射(XRD)研究了超高真空化学气相沉积外延生长的Si1-x-yGexCy三元合金的热稳定性.在比较高的退火温度下(950 ℃或以上),Si1-x-...
  • 作者: 于继荣 刘雄英 杨英杰 黄光周
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  294-297
    摘要: 建立了一个研究电感耦合等离子体源(ICPS)特性的数学模型,叙述了质点网格(PIC)法的原理.给出了PIC法的计算方法,指出PIC法必须与蒙特卡罗碰撞(MCC)模型和鞘层模型相结合,才能更准...
  • 作者: 任兆杏 徐金洲 梁荣庆
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  298-302
    摘要: 非相干性紫外或真空紫外光源的应用已成为众多工业部门中一项基础性和关键性的技术.本文着重介绍一种使用介质阻挡放电激发紫外或真空紫外辐射的新型光源--准分子紫外灯,包括准分子的形成以及光源的紫外...
  • 作者: 何声太 张昊旭 时东霞 江鹏 高鸿钧
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  303-310,335
    摘要: 单电子隧穿现象作为纳米电子学及超高密度信息存储的理论基础已经引起了全世界科学界的广泛关注.与之相关的研究工作正在成为凝聚态物理的研究热点之一.本文从单电子隧穿现象的起源入手,概述了单电子隧穿...
  • 作者: 周金芳
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  311-314
    摘要: 用化学气相沉积方法制备了超薄有机硅膜.研究了等离子体聚合工艺过程中,工艺条件对膜的特性和沉积速率的影响.结果表明:沉积掺有苯环的有机硅膜增强了膜的强度和耐腐蚀性能.最近研制的膜已成功地用于一...
  • 作者: 唐天同 姚振华 程敏 郭德政
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  315-318
    摘要: 以磁浸没透镜的电流密度值的大小为优化参量,以成像系统的轴上像散为目标函数,利用单纯形优化法对用于投射式电子束曝光系统的新型磁浸没透镜进行了优化设计.结果表明,目标函数由未经优化前的358.1...
  • 作者: 吴丛凤 温晓辉 詹如娟 黄卫东
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  319-321
    摘要: 给出了气压为10~28000 Pa时,环形倾斜裂缝天线等离子体源的放电特性.实验表明,该源在气压为10~2600 Pa范围内是大体积表面波放电,并且在气压为10和230 Pa时清楚地观察到裂...
  • 作者: 季振国 郭伟民
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  322-325
    摘要: AES/XPS结合离子刻蚀得到的深度剖析曲线在薄膜分析中十分有用.但由于AES/XPS信号来自表面3~5个电子平均自由程内所有原子的贡献,因此如果薄膜很薄,那么测到的深度剖析曲线并不能反映实...
  • 作者: 孙 孙平 彤 王茂祥 舒庆
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  326-328
    摘要: 钛酸锶铅((Pb1-xSrx)TiO3,PST)固溶体材料是一种性能优良的钙钛矿型铁电材料,其形成铁电相的温度较低,且易于和半导体工艺结合,应用潜力较大.本文采用磁控溅射法制备了PST薄膜,...
  • 作者: 付志强 戴达煌 林松盛 袁镇海 邓其森 郑健红
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  329-331
    摘要: 以氮气为反应气体,用真空阴极电弧沉积法沉积了CNx膜,并利用金相显微镜、Auger电子谱仪、FTIR及XRD对其进了分析.结果表明:真空阴极电弧沉积法可以制备含N量高、具有C≡N键和C-N键...
  • 作者: 朱炎 杨海峰 狄国庆 赵登涛 陈亚杰
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  332-335
    摘要: 利用反应磁控溅射方法制备了Fe-N薄膜.发现未退火的薄膜基本处于非晶或微晶状态,退火或在沉积时对基片施加一磁场,可使晶粒变大,并出现对应内部存在应力的γ′-Fe4N的(110)晶面的择优取向...
  • 作者: 刘玉学 刘益春 申德振
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  336-341
    摘要: 通过电子自旋共振实验、红外光谱和透射-反射谱等手段,系统地研究了CH4+SiH4和C2H2+SiH4两种不同气源制备的具有高氢含量的a-Si1-xCx∶H薄膜的微结构及其随退火温度的变化,用...
  • 作者: 吴丽君
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  342-347
    摘要: 作为制备和生产功能薄膜的方法之一,溅射法广泛应用于许多领域.它是目前制备金属薄膜最常用的工艺.作为高技术用的靶材是一种全新的概念.随着高技术用新材料突飞猛进的发展,世界靶材的市场销售规模日益...
  • 作者: 夏立芳 廖家轩
    发表期刊: 2001年5期
    页码:  5-38609
    摘要: 用X射线光电子能谱和小掠射角X射线衍射研究了铝合金LY12等离子体基离子注入形成的AIN/TiN改性层的结构.结果表明,N和Ti能注入铝合金表面,N在注入层呈类高斯分布,而Ti沿注入方向呈梯...
  • 作者: 农昊 华中一 周峥嵘 夏焱 徐伟 潘星龙 诸葛健 陶凤岗
    发表期刊: 2001年5期
    页码:  349-351
    摘要: 报道了一种新的高稳定的有机分子(SCN)可以和铜构成具有电双稳态特性的金属有机络合物.由这种材料制成的薄膜,在室温6 V电压作用下可以从高阻态转变成低阻态,其跃迁时间小于20 ns,并具有极...

真空科学与技术学报基本信息

刊名 真空科学与技术学报 主编 吴锦雷
曾用名 真空科学与技术
主办单位 中国真空学会  主管单位 中国科学技术协会
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1672-7126 CN 11-5177/TB
邮编 100022 电子邮箱 vst@chinesevacuum.com
电话 010-58206280 网址
地址 北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室

真空科学与技术学报统计分析

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