硼轻掺杂对a-Si∶H光电导层性能影响的研究

• 作者: 钱祥忠
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硼轻掺杂 a-Si∶H光导层 掺杂比 等离子体增强化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 254-257
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1895字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2001.03.021

摘要

用等离子体增强化学气相沉积法制备了厚为1 μm左右的B轻掺杂a-Si∶H光电导层，得到了a-Si∶H的暗电导率与淀积工艺参数和B掺杂比关系的实验曲线，利用该曲线确定了最佳工艺参数和最佳掺杂比。测量了最佳参数下淀积的a-Si∶H薄膜的电学和光学性能及其受掺杂比的影响。结果表明，当B掺杂比增大时，a-Si∶H的暗电导率先减小后增大，并可发生几个数量级的变化。光电导率减小，折射率略有降低，线性吸收系数显著增大，光学带隙减小。测量的数据表明，我们制备的B轻掺杂a-Si∶H光电导层满足投影机用液晶光阀的要求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钱祥忠	电子科技大学光电子技术系	8	17	3.0	3.0