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H2气氛对采用MOCVD 法在Si 衬底上外延生长AlN薄膜性能的影响?
Si衬底
AlN薄膜
H2
MOCVD
H2稀释比对RF-PECVD制备a-Si：H/nc-Si：H薄膜的光电特性的影响
a-Si:H/nc-Si:H
氢稀释
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a-Si1-xCx:H薄膜
PECVD
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氢化非晶硅
辉光放电
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半导体
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四川真空
主办单位：
四川省真空学会
国投南光有限公司
出版周期：
半年刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
成都市第109信箱207分箱
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
395
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