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6H—SiC块状单晶的升华法生长
6H—SiC块状单晶的升华法生长
作者:
唐连安
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
碳化硅
单晶生长
升华法
半导体材料
摘要:
研究了高纯SiC粉料的合成及6H-SiC大单晶的升华法生长。成功地生长出走私5mm,厚度15mm的6H-SiC单晶。利用这种晶体基片制成了兰光发光二极管和能在350℃以上温度下工作的整流二极管。
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升华法
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文献信息
篇名
6H—SiC块状单晶的升华法生长
来源期刊
上海硅酸盐
学科
工学
关键词
碳化硅
单晶生长
升华法
半导体材料
年,卷(期)
1995,(4)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
219-222
页数
4页
分类号
TN304.24
字数
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DOI
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引文网络
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1995(0)
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碳化硅
单晶生长
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半导体材料
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期刊影响力
上海硅酸盐
主办单位:
上海市硅酸盐学会
出版周期:
季刊
ISSN:
CN:
31-1236/TQ
开本:
出版地:
上海市定西路1295号
邮发代号:
创刊时间:
语种:
出版文献量(篇)
295
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2
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