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摘要:
研究了高纯SiC粉料的合成及6H-SiC大单晶的升华法生长。成功地生长出走私5mm,厚度15mm的6H-SiC单晶。利用这种晶体基片制成了兰光发光二极管和能在350℃以上温度下工作的整流二极管。
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 6H—SiC块状单晶的升华法生长
来源期刊 上海硅酸盐 学科 工学
关键词 碳化硅 单晶生长 升华法 半导体材料
年,卷(期) 1995,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 219-222
页数 4页 分类号 TN304.24
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研究主题发展历程
节点文献
碳化硅
单晶生长
升华法
半导体材料
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
上海硅酸盐
季刊
31-1236/TQ
上海市定西路1295号
出版文献量(篇)
295
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2
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