作者:
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
推荐文章
VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质
垂直温度梯度凝固法
GaAs
微缺陷
单晶
Si和GaAs衬底上的ZnTe、CdTe分子束外延材料的晶向倾角
分子束外延
晶格失配
晶向倾角
孪晶
GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAs生长温度的影响
GaAs/AlAs异质结
Si夹层
XPS测量
C-V测量
DLTS测量
带阶调节
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 MEB法Si(111)上的GaAs初始生长
来源期刊 电子材料快报 学科 工学
关键词 半导体 分子束外延法 GAAS 外延生长
年,卷(期) 1996,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 15
页数 1页 分类号 TN304.23
字数 语种
DOI
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1996(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
半导体
分子束外延法
GAAS
外延生长
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子材料快报
月刊
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
出版文献量(篇)
576
总下载数(次)
1
总被引数(次)
0
论文1v1指导