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UV/UHV/CVD生长应变Si1-xGex层
Si1-xGex
超高真空
紫外光
化学气相淀积
Si1-xGex:C缓冲层上Ge薄膜的CVD外延生长
化学气相淀积
Si1-xGex:C缓冲层
Ge薄膜
H2对UHV/CVD低温选择性外延生长Si1-xGex的影响
选择性外延生长
UHV/CVD
Si1xGex
Si1-xGex/Si材料外延生长技术
锗硅合金
分子束外延
有效组成成分
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 超高真空CVD沉积生长B注入Si1—xGex
来源期刊 电子材料快报 学科 工学
关键词 UHVCVD法 B注入 SIGE 半导体薄膜
年,卷(期) 1996,(7) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 8-9
页数 2页 分类号 TN304.12
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1996(0)
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研究主题发展历程
节点文献
UHVCVD法
B注入
SIGE
半导体薄膜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
电子材料快报
月刊
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
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576
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