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超高真空CVD沉积生长B注入Si1—xGex
超高真空CVD沉积生长B注入Si1—xGex
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UHVCVD法
B注入
SIGE
半导体薄膜
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超高真空CVD沉积生长B注入Si1—xGex
来源期刊
电子材料快报
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工学
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UHVCVD法
B注入
SIGE
半导体薄膜
年,卷(期)
1996,(7)
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8-9
页数
2页
分类号
TN304.12
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SIGE
半导体薄膜
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主办单位:
天津电子材料研究所
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