MOS器件中热载流子效应有关电场的计算方法

• 来源期刊: 西安电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOS场效应晶体管 沟道水平电场 栅氧化层垂直电场
• 年，卷（期）: 1998,（1）
• 页码范围: 37-40
• 页数: 4页
• 分类号: TN402,TN406
• 语种: 中文

摘要

采用线性近似的方法,对MOS器件中的沟道水平加速电场及栅氧化层中的垂直电场进行了研究,给出了一种较精确的简便计算方法.在该电场模型的基础上,建立了整个热载流子效应的模型框架.