分子束外延ZnS1-xTex单晶薄膜特性分析

• 作者: 孙汪典
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体材料 薄膜 ZnS1-xTex X射线光电子谱(XPS) 俄歇参数
• 年，卷（期）: 1999,（2）
• 所属期刊栏目: 科研论文
• 页码范围: 104-107
• 分类号: TN304.054|TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.1999.02.009

摘要

通过精确的测量发现,分子束外延(MBE)生长的Ⅱ-Ⅵ族三元合金碲硫锌(ZnS1-xTex)(0≤x≤1)半导体单晶薄膜中Zn和Te修正的俄歇参数α′随x增大近似线性增加,且前者大于后者;同时还发现Te 4d3/2和Te 4d5/2光电子谱峰间距随x的变化也有类似的规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙汪典		26	280	9.0	16.0