不同衬底上低温生长GaN形貌的AFM观察

• 作者: Attolini G Fornari R Pelosi C 曹传宝
• 来源期刊: 北京理工大学学报（英文版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 原子力显微镜 晶体生长 氢化物气相外延
• 年，卷（期）: 1999,（2）
• 页码范围: 130-137
• 分类号: O78
• 语种: 英文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-0579.1999.02.004

摘要

目的研究衬底温度与GaN形貌及其性能之间的关系. 方法用氢化物化学气相沉积方法,在不同类型的衬底,Si(111),Si(100),GaAs,GaP(111)的P和Ga面上气相生长GaN薄膜材料,生长是在低于700℃的温度下进行的.用XRD,霍尔测量,阴极荧光及原子力显微镜表征薄膜的性质. 结果发现温度和衬底类型影响生长层的形貌. 结论分析结果显示在光学性质和生长层形貌之间没有明显的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹传宝	北京理工大学材料科学研究中心	65	754	16.0	23.0