磁控反应溅射Ni-Cr选择性吸收薄膜

• 作者: 曹韫真 胡行方
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控反应溅射 选择性吸收 太阳吸收比 发射率 干涉作用
• 年，卷（期）: 1999,（3）
• 页码范围: 274-278
• 页数: 5页
• 分类号: TQ32
• 字数: 2322字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.1999.03.008

摘要

以铜和镍铬合金为靶材,用磁控反应溅射法制备具有干涉效应的Ni-Cr选择性吸收薄膜,用AES、TEM研究薄膜的结构和组成.结果表明,薄膜由10nm大小的颗粒组成,太阳吸收比αs＝0.93,发射率εn＝0.063,具有良好的选择性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡行方	中国科学院上海硅酸盐研究所	62	2055	24.0	44.0
2	曹韫真	中国科学院上海硅酸盐研究所	14	85	6.0	9.0