Si-Ge粉粒在冷等离子体中沉降的提纯效应分析

• 作者: 冯信华 张巍 王宇 王敬义 罗文广 陈文辉 陶甫廷
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 沉降时间 冷等离子体 提纯效应
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 43-46
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.052
• 字数: 3661字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2000.03.013

摘要

本文论述了粉粒在等离子体中的影响,并利用所提供的受力和加速度模型,进行了具体计算.最后分析了沉降时间的各种影响因素和提纯效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗文广	广西工学院计算机与电气工程系	76	585	14.0	20.0
2	陈文辉	广西工学院计算机与电气工程系	52	268	10.0	12.0
3	王敬义	华中理工大学电子科学与技术系	8	43	5.0	6.0
4	王宇	华中理工大学电子科学与技术系	4	26	3.0	4.0
5	陶甫廷	广西工学院计算机与电气工程系	17	58	5.0	5.0
6	张巍	广西工学院计算机与电气工程系	8	39	4.0	6.0
7	冯信华	华中理工大学电子科学与技术系	7	34	4.0	5.0