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摘要:
InGaAs/InGaAsP/InP等异质材料在室温和低温下光荧光测试中的厚度为3~30nm宽带隙夹层峰.夹层的化学成分主要是InGaP,它与MOCVD生长时开关程序和PH3或AsH3气流空流时间及气体存储时间等紧密相关.实验表明,对InP/InGaAsP/InP异质材料生长,AsH3气流空流时间为0.5秒左右时,宽带隙夹层峰基本消失.还指出宽带隙夹层将引起较大的晶格失配,增加异质界面缺陷,从而使材料光学特性恶化.
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 InP系列异质材料中的宽带隙夹层和它对材料特性的影响
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 低温光荧光 宽带隙夹层 MOCVD开关程序 晶格畸变
年,卷(期) 2000,(3) 所属期刊栏目 材料研究
研究方向 页码范围 47-50
页数 4页 分类号 TN304.2+4
字数 1745字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2000.03.014
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作者信息
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研究主题发展历程
节点文献
低温光荧光
宽带隙夹层
MOCVD开关程序
晶格畸变
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
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