纳米结构器件材料结构参数的新测试方法

• 作者: 薛舫时
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 军事
• 关键词: 纳米结构 结构参数 测试方法 理论计算
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 120-126
• 页数: 7页
• 分类号: EEACC
• 字数: 6161字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.02.003

摘要

使用Monte Carlo模拟方法和器件振荡特性测试研究了异质谷间转移电子器件的直流隧穿特性和射频振荡性能与器件结构参数之间的关系.理论计算结果与实验数据间吻合得很好.在此基础上提出了通过电性能测试来分析器件结构参数的新方法.使用逐层化学腐蚀C-V测试测定了有源层的掺杂分布.通过低场电阻测量确定了量子阱的宽度.最后从器件振荡特性与Monte Carlo模拟曲线的对照中得出了掺杂接口的浓度.由此建立了器件结构参数的一套完整的测试分析方法.使用这套测试监控方法，已成功地研制出MBE和MOCVD工艺的高效、大功率振荡器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛舫时		1	2	1.0	1.0