高能铒离子注入硅单晶的辐射损伤及其退火行为

• 作者: 李玉国 薛成山
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高能离子注入 损伤分布 退火
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1534-1537
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2551字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.12.011

摘要

利用卢瑟福背散射及沟道技术研究了2MeV Er+以不同剂量注入硅(100)所引起的辐射损伤及其退火行为.采用多重散射模型计算了2MeV 1×1014/cm2注入硅(100)引起的损伤分布,并与TRIM96模拟得到的结果进行了比较.结果表明计算得到的损伤分布与TRIM96模拟的损伤分布完全符合;实验结果表明MeV Er+注入后硅样品的退火行为与注入剂量及退火温度紧密相关.随着退火温度的变化,注入剂量为5×1014/cm2及其以上的样品存在反常退火行为.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李玉国	山东师范大学半导体研究所	44	186	7.0	11.0
2	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0