SOI/SIMOX-CMOS器件的研究

• 作者: 温梦全
• 来源期刊: 北京航空航天大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体材料 半导体器件 与非门电路 SOI SIMOX CMOS
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 109-111
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 字数: 1686字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5965.2001.01.029

摘要

研究SOI-SIMOX（Silicon On Insulation-Separation by Implanted Oxygen)材料及SIMOX-CMOS器件.高能大剂量(170keV,1.5×1018/cm2)氧离子注入到P型（100）单晶Si衬底，再经高温长时间（1300℃,6h）退火，形成SIMOX结构材料.经测试，SIMOX表层单晶硅膜反型为N型，研究表明，这是由于在制备SIMOX的工艺中，残留在SIMOX表层硅膜内的氧离子起施主作用所致，并计算出氧杂质在硅中的施主电离能,其值为0.15eV.采用SIMOX材料研制了MOSFET及CMOS三3输入端与非门电路，并介绍了研制SIMOX-CMOS器件的主要工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	温梦全	北京航空航天大学理学院	1	0	0.0	0.0