注F+加固CMOS/SOI材料的抗辐射研究

• 作者: 朱江 武光明 高剑侠
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS/SOI材料 抗辐射 加固
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 28-29
• 页数: 2页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 1027字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2002.02.010

摘要

向SIMOX材料的SiO2埋层或Si/SiO2界面注入170 keV F+,进而制成CMOS/SOI材料,采用60Co ( 辐射器辐照并测量材料的I-V特性.结果表明:向CMOS/SOI材料埋层注入F+离子,能提高CMOS/SOI材料的抗电离辐照性能.而且,注入F+的剂量为1(1015cm-2时,材料的抗辐照能力较强.这对制作应用于电离辐射环境的COMS/SOI器件极其有益.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱江		14	53	4.0	7.0
2	武光明		41	238	8.0	14.0
3	高剑侠	中国科学院上海原子核研究所	3	17	3.0	3.0