注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响

• 作者: 刘忠立 张国强 张恩霞 张正选 李宁 王曦 郑中山 钱聪
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧氮共注 SIMON SOI 离子注入
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1269-1272
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2615字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.06.040

摘要

分别采用一步和分步注入的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料,并对退火后的材料进行了二次离子质谱(SIMS)分析,结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO2/Si界面处.为了分析材料的抗辐照加固效果,分别在不同方法制作的SIMON材料上制作了nMOS场效应晶体管,并测试了晶体管辐射前后的转移特性.实验结果表明,注氮工艺对SOI材料的抗辐照性能有显著的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李宁	中国科学院半导体研究所	304	5119	38.0	59.0
2	张国强	中国科学院半导体研究所	82	553	12.0	21.0
3	王曦	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	60	322	10.0	15.0
4	郑中山	中国科学院半导体研究所	7	17	3.0	3.0
5	张正选	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	20	56	4.0	6.0
6	张恩霞	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	7	22	3.0	4.0
7	钱聪	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	4	8	2.0	2.0