a-SiNx∶H薄膜的导电机制

• 作者: 岳瑞峰 王燕
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化硅薄膜 电导激活能 Poole-Frenkel机制
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2693字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2001.01.007

摘要

研究了a-SiNx∶H薄膜的电导激活能与氮含量的关系。结果表明，随氮含量增加，样品表现出两种并行的电导机制：欧姆机制与Poole-Frenkel机制。采用两种电导机制拟合电流随温度变化曲线后得到了不同氮含量样品的电导激活能。由于氮在非晶硅中为施主类杂质，且具有特殊的结构组态，因而提出了一种调制掺杂模型解释了实验现象。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	岳瑞峰	清华大学微电子学研究所	67	379	11.0	15.0
2	王燕	清华大学微电子学研究所	55	351	8.0	17.0