PECVD非晶SiOx∶H薄膜的Si—O—Si键红外吸收特性研究

• 作者: 何乐年
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 等离子体增强化学气相沉积 非晶SiOx∶H薄膜 红外吸收光谱 Si— O —Si键
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 60-63
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2319字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2001.01.015

摘要

用傅里叶红外光谱(FT-IR)测试分析了等离子体化学气相沉积法沉积的非晶SiOx∶H(0≤x≤2.0)薄膜中的Si— O —Si伸缩振动模与氧含量x的关系。Si— O —Si伸缩振动模在1000和1150 cm-1有两个吸收峰。1000和1150 cm-1吸收带的积分吸收强度之和Isum与薄膜中的Si原子密度NSi之比Isum／NSi,在x=0～2.0范围内与x成正比。求得比例系数ASiO(Si— O —Si谐振子强度的倒数)为1.48×1019 cm-1。用此比例系数可快速简便地用FT-IR求出膜中的氧含量。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何乐年	浙江大学信息与电子工程学系	88	869	16.0	26.0