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摘要:
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P-Si TFTs带间隧穿电流的建模研究
多晶硅薄膜晶体管
带间隧穿
建模
纳米晶Pd修饰p-Si电极的制备及其光电析氢性能
纳米晶
Pd/p-Si电极
化学沉积
析氢
硅衬底对纳米ZnO/p-Si异质结酒精敏感性能的影响
ZnO薄膜
p-Si衬底
电阻率
气体传感器
透明导电薄膜与p-Si:H膜接触特性的研究
透明导电膜
p-Si:H膜
I-V测试
电接触特性
晶化率
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 低温p-Si薄膜的制备研究
来源期刊 世界电子元器件 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2001,(11) 所属期刊栏目 专题报道
研究方向 页码范围 11-12
页数 2页 分类号 TN27
字数 2575字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1006-7604.2001.11.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 荆海 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 11 54 5.0 6.0
5 刘传珍 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 3 10 2.0 3.0
7 付国柱 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 4 15 3.0 3.0
11 邱法斌 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 4 16 3.0 4.0
传播情况
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期刊影响力
世界电子元器件
月刊
1006-7604
11-3540/TN
16开
北京市北四环西路67号大地科技大厦1201-1218
82-796
1995
chi
出版文献量(篇)
5855
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6
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