Si(001)衬底上APCVD生长3C-SiC薄膜的 微孪晶及含量

• 作者: 戴自忠 杨辉 梁骏吾 王玉田 郑新和
• 来源期刊: 中国科学A辑
• 关键词: 3C-SiC 孪晶 双晶多功能四圆衍射 常压化学气相生长(APCVD)
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 242-247
• 页数: 6页
• 字数: 3575字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-9232.2001.03.007

摘要

利用X射线双晶多功能四圆衍射仪，对在Si(001)衬底上使用常压化学气相方法(APCVD)生长的3C-SiC进行了微孪晶的分析. Φ扫描证明了3C-SiC外延生长于Si衬底上，生长的取向关系为：(001)3C-SiC//(001)Si，[111]3C-SiC//[111]Si. 3C-SiC的{111}极图在χ=15.8°出现了新的衍射，采用六角相{1010}晶面的极图以及孪晶SiC(002)的倒易空间Mapping分析了χ=15.8°处产生的衍射为3C-SiC的孪晶所致，并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉	中国科学院半导体研究所	179	2701	25.0	46.0
2	王玉田	中国科学院半导体研究所	13	28	3.0	5.0
3	郑新和	中国科学院半导体研究所	10	19	3.0	4.0
4	梁骏吾	中国科学院半导体研究所	13	393	4.0	13.0
5	戴自忠	中国科学院半导体研究所	1	2	1.0	1.0